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英飞凌针对GPS应用程序推出新接收前端模块 (2008.10.23)
英飞凌科技推出全球最小的「GPS 接收前端模块」(GPS Receive Front-End Module)。全新 BGM681L11模块内含可放大GPS讯号、过滤噪声干扰的各项重要组件，体积仅3.75 mm³，仅约其他同类产品的三分之一 |
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可携式医疗电子系统设计 (2008.10.07)
除了断层扫描（CT Scan）、核磁共振扫瞄（MRI Scan）、正子扫瞄（PET Scan）等医疗影像系统外，几乎各式医疗电子皆已具备可携性。一套可携式医疗电子运作主轴在于感测器、放大器、运算放大器、一路到微控器间的过程，而依据不同应用的差异设计也非常重要 |
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ON推出低电容静电放电保护数组 (2008.10.06)
安森美半导体(ON)推出低电容静电放电(ESD)保护产品线的两款新产品。这些新产品采用安森美半导体获得专利的先进整合ESD保护平台，增强钳位性能，并维持超低电容和极小裸片尺寸 |
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Vishay推出高强度白光功率SMD LED (2008.09.23)
Vishay推出首款采用CLCC-6及CLCC-6扁平陶瓷封装的高强度白光功率SMD LED，提供基于蓝宝石 InGaN/TAG技术、2240mcd至5600mcd的高光功率。
新型VLMW63..系列采用CLCC-6封装且具有低达50k/W的低热阻，而采用CLCC-6扁平封装的VLMW64.. 系列则具有40k/W低热阻及0.9mm超薄厚度，这两大系列都设计用于降低大容量应用的成本 |
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Microchip推出符合汽车制告商标准之全新收发器 (2008.09.17)
微控制器及模拟组件供货商Microchip，推出MCP2021及MCP2022(MCP202X) LIN/SAE J2602收发器。两款组件均已获第三方LIN/J2602以及原始设备制造商的认可，并通过了AEC-Q100标准认证，完全符合全球汽车制造商的严峻标准 |
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英国威格斯深耕台湾半导体产业供应链 (2008.09.09)
VICTREX PEEK聚合物、VICOTE涂料和APTIV薄膜等高性能材料的全球制造商英国威格斯公司(Victrex plc)宣布，将于台湾半导体设备暨材料展(SEMICON Taiwan 2008)发表其应用于半导体产业的产品与技术成果 |
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Avago推出新一代高增益GPS低噪声放大器 (2008.09.04)
Avago Technologies(安华高科技)宣布，推出新一代整合滤波器的高增益GPS低噪声放大器(LNA, Low Noise Amplifier)。在2.7V与6mA的典型运作条件下，Avago高度整合的ALM-1612 LNA/滤波器模块可以提供令人惊艳的效能表现，包括0.9dB的噪声指数、18dB的增益、+2dBm的输入第三阶截点(IIP3)以及超过65dBc的行动通讯Cell/PCS频带拒斥能力 |
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快捷针对I2C应用推出电压转换器 (2008.08.28)
快捷半导体（Fairchild Semiconductor）为设计人员提供内置集成电路（Inter-Integrated Circuit；I2C）的电压转换器FXM2IC102，在宽泛的电压范围（1.65V 到 5.5V) 内工作，以适应I2C和低电压应用的要求 |
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Vishay推出高强度新款黄色及黄色SMD LED (2008.08.28)
Vishay推出采用CLCC-2扁平陶瓷封装且具有400mA驱动电流的首个高强度淡黄色及黄色功率SMD LED系列。强大可靠且具有高光效率的VLMK82..与VLMY82..器件具有20K/W的低热阻以及5600mcd～14000mcd的高光功率，主要面向热敏应用 |
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Vishay推出新款p信道功率MOSFET系列 (2008.08.21)
Vishay推出采用PowerPAK SC-75封装的p信道功率MOSFET系列，该系列包括额定电压介于8V～30V的多个器件，这些是采用此封装类型的首批具有上述额定电压的器件。
日前推出的这些器件包括首款采用PowerPAK SC-75封装的-12V(SiB419DK)及-30V(SiB415DK)单p信道功率MOSFET |
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Vishay推出专业汽车用薄膜芯片电阻 (2008.08.14)
Vishay宣布推出采用0603封装尺寸的专业汽车用薄膜芯片电阻，该电阻结合了高达+175°C（1000小时）的高工作温度以及先进额定功率。大多数薄膜芯片电阻在+70°C的环境温度下额定功率为100mW，而MCT 0603 AT在+85°C时额定功率规定为150mW |
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Vishay推出Bulk Metal Z箔卷型表面贴装电阻 (2008.08.14)
Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新型VSMP0603超高精度Bulk MetalZ箔(BMZF)卷型表面贴装电阻。该器件采用0603芯片尺寸的产品，当温度范围在−55°C至+125°C（参考温度为+25°C）时，可提供±0.2 ppm/°C的军用级绝对TCR、±0.01%的容差以及1纳秒的快速响应时间（几乎不可测量），且无振铃 |
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Vishay推出新型VPR220Z超高精度Z箔电阻 (2008.08.06)
Vishay推出新型VPR220Z超高精度Z箔电阻。这款新型器件在0°C～+60°C的温度范围内具有±0.05 ppm/°C的工业级绝对TCR、在−55°C～+125°C（+25°C 参考温度）的范围内具有±0.2ppm/°C的绝对TCR、在+25°C时具有8W的额定功率（按照 MIL-PRF-39009规范，在自由空气中为1 |
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TI推出HDMI及DisplayPort设计之ESD解决方案 (2008.08.04)
德州仪器(TI)宣布推出一款专为高画质多媒体接口(HDMI)及DisplayPort转接器设计的静电放电(ESD)解决方案，可为8个高速差动信道提供稳定可靠的系统级ESD保护。TPD8S009的直通式、单列式接脚映像选择功能，不仅使电路板配置优化，更有效降低电磁干扰对装置的影响 |
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英飞凌推出最低噪声系数GPS专用低噪声放大器 (2008.08.01)
英飞凌科技公司日前于日本电信展(EXPO COMM WIRELESS JAPAN)宣布推出业界最低噪声系数的GPS专用高灵敏度LNA（低噪声放大器），为其众多的产品系列新添生力军。这款名为BGA715L7的组件符合手机设计在高灵敏度与手机讯号干扰的需求，耗电功率超低仅仅只有5.94 mW，并且在1.8伏特电压下即可操作 |
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Vishay推出改进的S系列高精度Bulk Metal箔电阻 (2008.07.31)
Vishay宣布推出改进的S系列高精度Bulk Metal 箔(BMF)电阻，这些电阻在-55°C～+125°C（+25°C 参考点）时具有±2 ppm/°C的军用级典型TCR、±0.005%的容差，以及超过10,000小时的±0.005%负载寿命稳定性 |
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提供过电流、过温度与过电压的保护机制 (2008.07.31)
在创新的热保护装置中，可在过电流情况发生时提供可复位的电流限制，并于过电压的情况下提供电压钳制能力。此一整合型解决方案可确保厂商的产品符合业界测试标准、减少元件数量并提高设备可靠性 |
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40奈米制程逻辑组件的开发与实践 (2008.07.31)
逻辑组件进展到40奈米节点将可得到摩尔定律在增进密度与效能中所预期的效益。本文为Altera公司开发40奈米FPGA所实践的成果说明，在与先进晶圆代工厂配合下解决了效能、功耗与制造良率的问题 |
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快捷电压转换器可简化SD卡应用设计 (2008.07.24)
快捷半导体（Fairchild Semiconductor）推出专为安全数字（SD）应用的设计人员而设计，能够简化其设计的低电压、双电源SD接口电压转换FXL2SD106，具备内置的自动方向控制功能，可让组件感测和控制数据流动的方向，而无需方向控制接脚 |
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Vishay推出新型VSA101轴向Bulk Metal Z箔电阻 (2008.07.17)
为满足在高可靠性应用中对超高精度电阻的需求，Vishay推出新型VSA101轴向Bulk Metal Z箔电阻。这款新型器件在0°C～+60°C以及−55°C～+125°C（+25°C参考温度）的温度范围内分别具有±0.05 ppm/°C 及 ±0.2 ppm/°C的低绝对TCR、额定功率时±5 ppm 的出色PCR（“R，由于自加热”）、±0.005%的容差，以及±0.005%的负载寿命稳定性 |
硬件组装在一起，只是一堆相互无法联系的零件，零件要能相互联络、沟通与协调，才能构成整体的「系统」的基础，而BIOS便扮演这样的角色。
