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IDC：今年景气将于第二季末复苏 (2002.01.22)
根据市场调查机构爱迪西（IDC）最新报告，今年全球动态随机存取内存（DRAM）销售额约一百零五亿五千万美元，约较去年小幅下跌2﹪，市场主流产品128M转换至下一世代的256M的交替期，将发生在今年第二季与第三季，而随着全球经济景气开始回温，DRAM产业景气可望于第二季末开始大举反弹复苏，并于第四季出现公布应求的市况 |
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DRAM飙张，上下游厂商同乐 (2002.01.21)
自去年底动态随机存取内存（ＤＲＡＭ）现货价开始飙涨起，便引发通路商、中盘商、模块厂等下游买家强势在市场扫货动作，然近三个月来的回补库存行为，已造成这些下游买家库存堆高至六周以上水位 |
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六大DRAM厂去年损益数字将出炉 (2002.01.17)
六大动态随机存取内存(DRAM)厂自结去年损益数字下周陆续出炉，茂硅粗估亏损195亿元，创下台湾高科技公司年度亏损最高纪录，六家DRAM厂合计亏损逾600亿元，不过业者预期今年将转亏为盈 |
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美光、Hynix合并破局 (2002.01.14)
根据外电，美光坚持合并价格采东芝Dominion晶圆厂模式，即新厂成本的四分之一，总合并金额在40亿美元以下; 不过，Hynix债权银行却认为，近期DRAM价格上扬，坚持合并金额在50亿美元以上，甚至出现65亿美元之说法 |
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DRAM涨势可期 (2002.01.09)
业界人士透露，南韩三星电子已自元月起开始提高记忆芯片合约价25%到30%，128Mb动态随机存取记忆芯片（DRAM）合约价约涨为2.3美元到2.4美元，此举促成国内DRAM市场回春。过去一个月来，三星电子与Hynix总共涨价三次，对个人计算机制造商的供应价共调高约60% |
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DDR产量与DRAM不成正比 (2002.01.08)
根据SEMI数据，2001年全球128Mb DRAM产出当量达33亿颗，年增率达51.2%，今年在12吋晶圆厂投产及制程微缩刺激下，全球DRAM产量成长率约在四到五成间。不过，今年1月全球DDR主要制造厂商仍以南亚科技、美光及三星为主，月产出不到4,000万颗，占整体DRAM市场比重不到两成，因此，英特尔845B及845G芯片组上市，将出现供不应求现象 |
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台湾12吋晶圆厂的展望与未来 (2002.01.05)
建造一座晶圆厂所需的成本极高，8吋晶圆厂需10亿美元的资本，而12吋晶圆厂更高达30亿美元左右才能建厂，所以从决定盖厂到盖厂完成、采购生产设备到正式生产，期间所耗费的成本，每笔都是惊人的数字，因此完成12吋晶圆厂，等于完成一项庞大的成果 |
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Hynix将调涨DRAM现货价30% (2002.01.03)
南韩芯片大厂Hynix日前指出，该公司已自一月一日起将大客户的128MB DRAM合约价格平均调涨30%。三星电子同时表示，将在一两个星期内跟进。在连番涨价的激励下，南韩半导体类股周三全面大涨 |
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DRAM市场稳定度待观察 (2002.01.02)
近期一二八Ｍｂ DRAM现货价在上游制造厂与下游通路商强力拉抬下，由去年十月的○．八五美元历史低点一路向上飙升，在短短二个月内，便站上了二．五美元的变动成本以上价位 |
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东芝技转0.13微米制程于中芯 (2001.12.21)
日本半导体大厂东芝廿日宣布，已与上海中芯国际签订低功率静态随机存取内存(Low PowerSRAM)策略合作合约，东芝将技转0.13微米的SRAM制程予中芯，并将中芯列为重要代工伙伴，而东芝也以技术作价方式取得中芯约5%的股权 |
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DRAM厂可望否极泰来 (2001.12.21)
近期在韩国三星电子以及 Hynix大厂的作价下，一二八兆位 SDRAM合约价格已顺利站上二美元。现货价格以及合约价格均出现回升契机，一二八兆位SDRAM重返二美元，国内主要 DRAM工厂已回到现金净流入的情况 |
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东芝将退出DRAM销售 (2001.12.20)
日前东芝与亿恒合并案破局后，东芝表明将退出标准型DRAM制造与销售，华邦现有八吋晶圆厂在DRAM制程技术上将可延续到何种程度，已成为市场瞩目焦点，市场上因此传出亿恒转向寻求与华邦的合作机会 |
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美光、Hynix联盟进行中 (2001.12.19)
南韩Hynix半导体公司整顿委员会主席辛国焕18日说，美光科技公司虽计划买下东芝公司记忆芯片厂，但Hynix与美光的联盟商议仍持续进行。美光发言人也表示，正继续评估Hynix的厂房设备 |
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华邦卖出五吋晶圆厂 (2001.12.18)
华邦电为摆脱今年动态随机存取内存(DRAM)景气低迷，10月底，公司董事会做出历年组织及策略调整最大的方案，包括关闭方案：包括关闭五吋晶圆厂、精简人力及转战利基型内存市场等策略三头并进，让华邦电在极短的时间内由现金净流出转为净流入，走出半导体不景气的困境 |
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256Mb DDR与512Mb DDR争霸 (2001.12.17)
动态随机存取内存(DRAM)容量世代交替加速，德国亿恒 (Infineon)指出，今年第四季将全面生产256M DRAM，预计明年初就将导入512Mb以及1Gb 以上的 DRAM 生产。
DRAM容量站上128Mb以后大约维持了近两年的时间，但是在今年第三季因为价格快速下降的因素，许多制造厂商纷纷转向更高容量的产品生产，希望能够避开标准产品的流血战争 |
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DRAM涨价 茂硅亿恒合并案破裂 (2001.12.08)
台湾内存芯片大厂台湾茂硅表示，已取消与德国亿恒公司(Infineon)的合并谈判，茂硅表示，亿恒仍希望透过与竞争对手合作，扩大其市场占有率。
动态随机存取内存 (DRAM) 价格持续飙涨 |
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SRAM价格未随DRAM上扬 (2001.12.08)
国内SRAM设计公司表示，目前低功率二五六Kb约维持在○．七或○．八美元，供货商只有连邦与国外Cypress、韩国三星等少数厂家，低功率二Mb价格在一．五美元上下，四Mb区间落在二．一美元至三．五美元、均价约为三美元 |
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DRAM涨价，模块厂跟进 (2001.11.21)
动态随机存取内存（ＤＲＡＭ）价格飙涨，主要导因于上游ＤＲＡＭ厂锁货策略，不过在近一周内的ＤＲＡＭ涨价期间，一向为ＤＲＡＭ市场最大采购者的内存模块业者，却不见在市场上大举搜括现货的大动作，预料将削弱ＤＲＡＭ厂锁货策略成效 |
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DRAM市场浮现假性需求 (2001.11.19)
动态随机存取内存（ＤＲＡＭ）价格在上游大厂锁货不出下，在短短一周内大涨九成以上，上周五（十六日）虽已小幅回调，业界仍觉得ＤＲＡＭ此波涨势来得过快且突然，倘若仔细评估其中原因，除了市场供给量的大幅萎缩外，系统厂、通路商、模块厂等回填安全库存的假性需求，则是刺激价格飙涨的主要因素 |
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全球DRAM厂供应量将减少10% (2001.11.08)
DRAM价格崩盘，全球DRAM厂厂莫不寻求出路。尤其以产量占全球第一名的美光，在本次的不景气中受到相当大影响，是否减产甚至关厂备受注目。据指出，此次美光停工的厂可能是先进制程大厂，包括美国本土的0 |
ITU最主要的工作就是制定无线传输设施的相关规范，例如手机、飞航通讯、航海通讯、卫星通讯系统、广播电台和电视台等无线传输设施，
