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Vishay推出Bulk Metal Z箔卷型表面贴装电阻 (2008.08.14)
Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新型VSMP0603超高精度Bulk MetalZ箔(BMZF)卷型表面贴装电阻。该器件采用0603芯片尺寸的产品，当温度范围在−55°C至+125°C（参考温度为+25°C）时，可提供±0.2 ppm/°C的军用级绝对TCR、±0.01%的容差以及1纳秒的快速响应时间（几乎不可测量），且无振铃 |
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Vishay提供63V额定电压固体钽芯片电容器 (2008.08.11)
Vishay宣布，该公司已扩展了其Tantamount Hi-Rel COTS T97系列，可提供具有63V额定电压的固体钽芯片电容器，从而能够满足+28V电源设计中的额定值降低要求。
由于缺乏面向+28V应用的替代产品，在此之前，设计人员不得不依赖50V钽电容器，这种电容器无法满足50%额定电压的降级要求（军事及最佳商业实践） |
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Sony投3.72亿美元提高锂电池产能 (2008.08.08)
外电消息报导，Sony日前表示，由于手机、数字相机以及其他消费性电子产品对锂电池的需求量大幅成长，因此该公司将投资3.72亿美元的经费，扩增锂电池的生产设备，以提高锂电池的生产能力 |
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Vishay推出新型VPR220Z超高精度Z箔电阻 (2008.08.06)
Vishay推出新型VPR220Z超高精度Z箔电阻。这款新型器件在0°C～+60°C的温度范围内具有±0.05 ppm/°C的工业级绝对TCR、在−55°C～+125°C（+25°C 参考温度）的范围内具有±0.2ppm/°C的绝对TCR、在+25°C时具有8W的额定功率（按照 MIL-PRF-39009规范，在自由空气中为1 |
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Vishay推出改进的S系列高精度Bulk Metal箔电阻 (2008.07.31)
Vishay宣布推出改进的S系列高精度Bulk Metal 箔(BMF)电阻，这些电阻在-55°C～+125°C（+25°C 参考点）时具有±2 ppm/°C的军用级典型TCR、±0.005%的容差，以及超过10,000小时的±0.005%负载寿命稳定性 |
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提供过电流、过温度与过电压的保护机制 (2008.07.31)
在创新的热保护装置中，可在过电流情况发生时提供可复位的电流限制，并于过电压的情况下提供电压钳制能力。此一整合型解决方案可确保厂商的产品符合业界测试标准、减少元件数量并提高设备可靠性 |
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ST推出250A功率MOSFET结合先进封装和制程 (2008.07.20)
以降低如电动汽车等电动设备的营运成本和减少对环境的影响为目标，电源应用厂商意法半导体(ST)推出一款250A表面贴装的功率MOSFET，新产品STV250N55F3低导通电阻，可将功率转换的损耗降至最低，并且能够提升系统的性能 |
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Vishay推出新型VSA101轴向Bulk Metal Z箔电阻 (2008.07.17)
为满足在高可靠性应用中对超高精度电阻的需求，Vishay推出新型VSA101轴向Bulk Metal Z箔电阻。这款新型器件在0°C～+60°C以及−55°C～+125°C（+25°C参考温度）的温度范围内分别具有±0.05 ppm/°C 及 ±0.2 ppm/°C的低绝对TCR、额定功率时±5 ppm 的出色PCR（“R，由于自加热”）、±0.005%的容差，以及±0.005%的负载寿命稳定性 |
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Vishay推出Bulk Metal表贴装Power Metal Strip电阻 (2008.06.30)
Vishay宣布推出一款新型高精度Bulk Metal表面贴装Power Metal Strip电阻，该电阻可在限定功率及+70ºC的条件下保持2,000小时的±0.05%负载寿命稳定性，在–55ºC至+125ºC及25ºC参考温度条件下实现±15 PPM/ºC的绝对TCR，以及具有±0.1%的容差 |
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Vishay推出新型密封式微型超高精度Z箔电阻 (2008.06.30)
为满足高可靠性应用中对性能的长期稳定性的需求，Vishay Intertechnology, Inc.推出新型密封式VHP203微型超高精度Z箔电阻。这款新型器件在0°C～+60°C（+25°C参考温度）范围内具有±0.05 ppm/°C的低绝对TCR、额定功率时±5 ppm的出色功率系数（"ΔR，由于自加热"）、±0.001%(10 ppm)的容差，以及±0.002%(20 ppm)的负载寿命稳定性 |
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Vishay推出新型D2TO35 35W浓膜功率电阻 (2008.06.26)
Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新型35W浓膜功率电阻，该器件采用易于安装的小型TO-263封装(D2PAK)，并且具有广泛的电阻值范围。
该新型D2TO35浓膜电阻为无电感器件，具有0.01Ω～550kΩ的宽泛电阻范围 |
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Vishay推出新型汽车精密薄膜芯片电阻阵 (2008.05.16)
Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出ACAS 0612 AT汽车精密薄膜芯片电阻数组，该器件已透过AEC-Q200测试，并具有1000V额定电压的ESD稳定性。该器件经优化可满足汽车行业对温度和湿度的新要求，同时可为工业、电信及消费电子提供较高的重复性和稳定的性能 |
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Vishay的电点火器芯片电阻器荣获EDN创新奖 (2008.04.29)
Vishay宣布，在4月14日加利福尼亚州圣荷西举办的宴会和颁奖典礼上，其电点火器芯片电阻器（EPIC）荣获无源元器件和互联栏目的EDN创新奖。
EDN杂志创新奖设立于1990年，旨在表彰上一年度对半导体产业产生重大影响的人物、产品及技术 |
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Vishay推出新型高可靠性浓膜电阻 (2008.03.10)
日前Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出一款新型浓膜电阻，该电阻将超低的电阻值与面向电流感应应用的小容差及低TCR进行完美结合。
为在直流到直流转换器、电源、电动机电路、计算器及手机中的电流感应及分流应用提供高稳定性，Vishay的CRCW....-EL浓膜功率电阻具有10mΩ～100mΩ的超低电阻范围，容差仅为±1%及±5% |
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Vishay推出具高额定功率Power Metal Strip电阻 (2008.02.29)
Vishay宣布推出以小型0603封装具有0.20 W高额定功率的首款Power Metal Strip电阻。WSL0603...18的功率是标准WSL0603型器件的两倍，该产品是一种小型表面贴装电阻，主要面向直流到直流转换器、电源/锂离子电池管理系统以及计算机与电信系统的VRM中的高功率、电流感应应用 |
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汽车应用中的磁电阻传感器 (2008.02.15)
磁电阻效应可应用于多种汽车内的传感器，主要是应用于测量机械系统的速度与角度。如此一来，磁场传感器就成为电子组件、磁性组件和机械组件所组成的复杂系统中的一部分 |
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Vishay推出二款高性能Power Metal Strip电阻 (2008.02.14)
Vishay宣布推出两款高性能表面贴装Power Metal Strip电阻，这两款电阻是率先采用3921及5931封装尺寸且工作温度范围介于–65°C～+275°C的此类器件。
新型WSLT3921及WSLT5931器件的 |
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Vishay推出新型Power Metal Strip仪表并联电阻 (2008.01.24)
Vishay宣布推出采用5515尺寸封装的新型Power Metal Strip仪表并联电阻，该器件具有3W功率以及低至100µΩ的超低电阻值。WSMS5515仪表并联电阻采用可产生100µΩ～500µΩ超低电阻值的专有工艺技术，该技术可在面向工业及民用电子电表的电流表并联应用中提供更高的精确度 |
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Digi-Key与Stackpole签署全球经销协议 (2007.11.28)
电子组件经销商Digi-Key及Stackpole Electronics, Inc.(SEI)宣布针对SEI电阻签署一项全球经销协议。
SEI产品包括广泛的表面黏着及贯孔电阻，包括厚膜、薄膜、电流感测、碳质、及金属膜/氧化膜电阻，以及成长中的绕线式及厚膜功率电阻产品线 |
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Vishay推出面向加热应用的PTC热敏电阻 (2007.10.29)
Vishay宣布推出面向加热应用的新系列自调节 PTC（正温度系数）热敏电阻。这些直接加热的PTCHP系列器件已进行了优化，可用作热致动器、杀虫剂与香水喷雾器及小型保温板等家电中的加热组件 |
