 |
Crucial扩展DDR5 Pro电竞记忆体产品组合 为游戏玩家提供更快速度 (2024.10.30)
美光科技推出 Crucial DDR5 Pro 超频电竞记忆体，以全新 6,400 MT/s 的速度，为玩家提供更流畅、更快速的游戏体验。此次产品更新是继 2月首次推出的6,000 MT/s 电竞记忆体解决方案後的进一步升级 |
|
美光超高速时脉驱动器DDR5记忆体产品组合 可助新一波AI PC发展浪潮 (2024.10.16)
美光科技推出全新类别的时脉驱动器记忆体━Crucial DDR5 时脉无缓冲双列直??式记忆体模组（CUDIMM）和时脉小型双直列记忆体模组（CSODIMM），现已大量出货。这些符合 JEDEC 标准的解决方案运行速度高达 6,400 MT/s，是 DDR4 速度的两倍之多，比传统的非时脉驱动器 DDR5 快 15% |
|
美光公布全新品牌识别 以崭新形象迎接创新机遇 (2024.10.10)
美光科技推出全新的品牌识别，它不仅彰显了美光在记忆体和储存行业的领导地位，也标志着我们在持续多年的科技创新之旅中迈向新的里程碑。此次品牌识别设计基於晶圆的圆弧曲线与丰富色彩元素 |
 |
AI运算方兴未艾 3D DRAM技术成性能瓶颈 (2024.08.21)
HBM非常有未来发展性，特别是在人工智慧和高效能运算领域。随着生成式AI和大语言模型的快速发展，对HBM的需求也在增加。主要的记忆体制造商正在积极扩展采用3D DRAM堆叠技术的HBM产能，以满足市场需求 |
|
美光发表业界首款 PCIe Gen6 资料中心SSD 提供26GB/s连续读取频宽 (2024.08.08)
美光科技宣布，研发出业界首款推动生态系统的 PCIe Gen6 资料中心 SSD 技术，为美光支援 AI 广泛需求的完整记忆体和储存产品布局再添一员。美光资深??总裁暨运算与网路事业部总经理 Raj Narasimhan 并於 FMS 2024 展览上针对「资料就是 AI 的核心 |
|
美光宣布量产第九代NAND快闪记忆体技术 (2024.07.31)
美光科技宣布，采用第九代(G9) TLC NAND技术的SSD现已开始出货。美光G9 NAND传输速率3.6 GB/s，不论是在个人装置、边缘伺服器，或是企业及云端资料中心，这颗NAND新品均可展现效能，满足人工智慧及其他运用大量资料的使用情境 |
|
为AI应用奠基 美光推出全球最高速资料中心SSD (2024.07.25)
美光科技今日宣布，推出Micron 9550 NVMe SSD，为全球最高速率资料中心SSD，在AI工作负载效能及节能效率上亦领先业界 。美光9550 SSD整合了美光自有的控制器、NAND、DRAM与韧体 |
 |
美光最低延迟创新主记忆体MRDIMM正式送样 (2024.07.18)
因应工作负载要求的日益严苛，为了充分发挥运算基础架构的最大价值。美光科技（Micron）宣布其多重存取双列直??式记忆体模组（MRDIMM）开始送样。MRDIMM针对记忆体需求高达每DIMM ??槽128GB以上的应用 |
|
美光揭??永续行动进展 迈向未来创新目标 (2024.07.05)
美光科技发布 2024 年永续经营报告，详述美光的永续发展成果，并持续推动可为未来创造全新机会与突破的技术进程。美光总裁暨执行长 Sanjay Mehrotra 表示，美光 2024 年永续经营报告展现透过科技回??全球社群与环境的决心；期待协助引领整个半导体产业和生态系统取得更长足的进步 |
|
美光次世代绘图记忆体正式送样 (2024.06.06)
美光科技宣布，采用美光1β (1-beta) DRAM技术和创新架构的次世代GDDR7绘图记忆体已正式送样。最高位元密度的美光GDDR7以功率优化设计打造最高速度达每秒32 Gb。同时其系统频宽提升至1.5 TB/s以上，频宽相较前一代美光GDDR6高出60%，拥有四个独立通道，提供最隹化工作负载与更快的回应速度、更流畅的游戏体验并显着缩短处理时间 |
|
[Computex] 美光正式送样GDDR7绘图记忆体 创新游戏体验与AI应用 (2024.06.05)
美光科技宣布最高位元密度次世代GDDR7绘图记忆体已正式送样。采用美光1β (1-beta) DRAM技术和创新架构，美光GDDR7以功率优化设计打造最高速度达每秒32 Gb。同时其系统频宽提升至1.5 TB/s以上，频宽相较前一代美光GDDR6高出60%，美光GDDR7拥有四个独立通道，提供最隹化工作负载与更快的回应速度、更流畅的游戏体验并显着缩短处理时间 |
|
美光32Gb伺服器DRAM通过验证并出货 满足生成式AI应用要求 (2024.05.08)
美光科技宣布其采用高容量单片 32Gb DRAM 晶粒的 128GB DDR5 RDIMM 记忆体正式验证与出货。美光 128GB DDR5 RDIMM 记忆体速度高达 5,600 MT/s，适用於各种先进伺服器平台，该产品采用美光的 1β 技术，相比其他 3DS直通矽晶穿孔（TSV）堆叠的产品，位元密度提升超过 45%，能源效率提升 22%，延迟则降低 16% |
|
美光针对用户端和资料中心等市场 推出232层QLC NAND (2024.04.25)
美光科技推出 232 层 QLC NAND，将其整合至部份 Crucial 消费型 SSD 产品中。目前 CrucialR SSD 已正式量产并向企业储存装置客户出货，美光 2500 NVMeTM SSD 则已向 OEM PC 制造商送样 |
|
美光正式量产HBM3E 功耗较前代降低约 30% (2024.02.27)
美光科技今宣布，其 8 层堆叠 24GB HBM3E解决方案已正式量产。美光 HBM3E 解决方案将应用於 辉达 H200 Tensor Core GPU，预计於 2024 年第二季出货。
美光执行??总裁暨事业长 Sumit Sadana 表示：「美光在 HBM3E 此一里程碑上取得了三连胜：领先的上市时间、业界最隹的效能、杰出的能源效率 |
|
美光率先推出基於LPDDR5X的LPCAMM2记忆体 (2024.01.18)
Micron Technology今日推出业界首款标准低功耗压缩附加记忆体模组（LPCAMM2），提供从 16GB 到 64GB 的容量选项，使个人电脑（PC）能够提高效能及能源效率、节省空间并实现模组化 |
|
美光推出128GB DDR5 RDIMM记忆体 为生成式AI应用提供更隹解 (2023.11.27)
美光科技，宣布推出128GB DDR5 RDIMM 记忆体，采用 32Gb 单片晶粒，以高达 8,000 MT/s 的同类最隹效能支援当前和未来的资料中心工作负载。此款大容量高速记忆体模组专为满足资料中心和云端环境中各种关键应用的效能及资料处理需求所设计，包含人工智慧（AI）、记忆体资料库（IMDBs）、高效处理多执行绪及多核心运算工作负载等 |
|
美光发布首款8层堆叠24GB HBM3 实现1.2TB/s频宽 (2023.07.30)
美光科技宣布推出业界首款第二代 8 层堆叠（8-High）24GB HBM3，并开始送样。此产品频宽达 1.2TB/s 以上，每脚位传输速率超过 9.2Gb/s，较目前市面上的HBM3解决方案高出 50%。此外，美光第二代HBM3的每瓦效能较前几代产品提升2.5 倍，刷新 AI 数据中心的关键性能、容量及功耗指标 |
|
美光发布 2023 年永续发展报告 与产业夥伴协作推动永续措施 (2023.07.05)
美光科技近日发表「团结力量大：美光 2023 年永续发展报告」，强调其对创新、环境、团队成员及社群持之以恒的承诺。美光今年不但推出新产品，以满足客户对能源功耗的需求、并且与供应商密切合作，推动可再生能源目标的进展，以及携手产业夥伴与供应商，实现全球营运净零排放的愿景 |
|
美光发布年度多元平等共融报告 对多元化人才持续承诺 (2023.03.31)
美光科技发表第五份年度多元、平等与共融（DEI）报告 《我们是美光》（We are Micron），以彰显其六项 DEI 承诺的进展和成就。
美光总裁暨执行长 Sanjay Mehrotra 表示：「这些承诺使美光有责任追求更广泛的多元化、推动平等薪酬和福利、促进共融文化，并成为所有人的正向力量 |
|
美光全球首款232层NAND正式出货 数据传输速度快50% (2022.07.27)
美光科技今宣布，其全球首款 232 层 NAND 已正式量产。它具备业界最高的单位储存密度（areal density），并提供与前几代 NAND 相比更高的容量和更隹的能源效率，能提供从终端使用者到云端之间大部分数据密集型应用最隹支援 |
IAB是Internet Activities Board的简称，意即美国网络广告组织，是一个专门管理与观察美国网络广告活动的一个机构。
