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思源科技研发副总李炯霆获选加入Si2董事会 (2012.06.11)
思源科技(SpringSoft)日前宣布，该公司实体设计事业群副总经理李炯霆获选加入芯片整合倡导组织(Si2)的董事会。Si2是业界顶尖半导体、系统、EDA与制造公司的最大组织，致力于开发和推广标准以改善集成电路设计和制造的方式，以便加速上市前置时间、降低成本，进而克服次微米设计的挑战 |
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Simtek采用明导Calibre xRC寄生参数萃取工具 (2004.05.20)
Mentor Graphics于5月12日宣布，Simtek已采用Calibre xRC寄生参数萃取(parasitic extraction)工具作为它奈米设计的解决方案，并利用它来设计高效能的数据非挥发性内存。Calibre xRC为讯号及电源线路分析提供优化的阶层式寄生参数数据，又能和Nassda的后布局阶层式仿真工具HSIM整合，这是Simtek选择它的主要原因 |
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Nassda发表新产品与新技术 (2002.04.01)
当制程技术由次微米进入奈米范围（小于 200奈米）时，具有高速运算与低耗电等特性之电路出现非数字之电气现象，交连杂音（Cross Coupling Noise）、电感效应（Inductance Effects）、联机压降（IR Drop）、电子迁移（Electromigration）、及其他奈米级电路的问题，虽然模拟线仿真是设计、验证、及解决这类奈米电路问题之最有效方法 |
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Nassda发表HSIM 2.0版 (2002.03.08)
茂积代理的Nassda Corp.8日发表HSIM（TM）2.0版，此为最新版之全芯片电路验证与分析软件。当HSIM对模拟电路、混合信号电路、内存电路、及系统芯片（System-on-Chip，SoC）电路作分析时，分析过程一并考虑毫微米电气和寄生效应 |
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Nassda推出支持奈米全芯片的阶层式仿真器 (2001.06.13)
Nassda公司于4日正式发表HSIM的1.3版--电子设计自动化(EDA)工业第一个阶层式(Hierarchical)全芯片(Full Chip)电路仿真器的最新版本；针对模拟电路、混合信号、内存及SoC集成电路等的设计者，HSIM提供完全而详细在电路阶层(Circuit Level)上之时序(Timing)及功率以及Signal Integrity Effect分析 |
