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VLSI国际研讨会登场 工研院率专家剖析AI、5G创新技术 (2020.08.11)
由工研院主办的半导体年度盛事「2020国际超大型积体电路技术研讨会」（VLSI）於今（11）日登场，大会今年聚焦在最热门的人工智慧(AI)、5G、量子电脑、生物电子医学等相关技术发展与未来趋势，并邀请到台积电、联发科、IBM、Intel、NVIDIA、NTT Docomo、加州大学洛杉矶分校、东京大学等国内外大厂及专家学者进行分享 |
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旺宏电子8-bit I/O 快闪记忆体 获意法半导体新微控制器采用 (2018.03.26)
旺宏电子（Macronix International Co, Ltd）宣布意法半导体(STMicroelectronics) 新款STM32L4+ 微控制器开发套件/开发板采用旺宏电子所制造生产的极速8-bit I/O NOR型快闪记忆体。
旺宏电子MX25LM极速 8 I/O系列产品可满足汽车、工业及消费电子等各项应用对於快速启动及即时反应的需求 |
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华邦W25QxxNE 1.2V 与 W25QxxND 1.5V 串列式NOR型快闪记忆体 (2017.08.22)
Dual/Quad Serial Peripheral Interface
Uniform 4KB erasable sectors & 32KB/64KB erasable blocks
4,096 pages (256 bytes)
Single/Dual/Quad Fast Read instructions
8/16/32/64byte wrap around for Fast Read Dual/Quad I/O instructions
Clock operation up to 104MHz
1.14 to 1.30V power supply
-40 |
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Spansion量产高密度单芯片512Mb串行式闪存 (2012.04.03)
Spansion(美商飞索国际)日前宣布其512Mb Spansion FL-S Serial(SPI)NOR型闪存已进入量产阶段，此产品特色为最高密度单芯片串行式闪存。
业者宣称，Spansion FL-S 产品家族涵盖128Mb 到1Gb，为业界最领先的程序指令周期，其速度较竞争产品快三倍以上，且读取速度在双倍数据速率(DDR)上超过其他产品20% |
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旺宏电子NOR Flash提前导入75奈米预计Q4量产 (2010.10.03)
旺宏电子（MXIC）于日前宣布，该公司由于制程技术研发成果顺利，其生产制造的NOR型闪存，将跳过90奈米制程，直接导入至75奈米，超前原先时程规划。采用75奈米新制程的产品将广泛应用于网络通讯、计算机、消费电子与手持式装置等应用市场 |
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三星新款NAND内存具备更高灵活性 (2007.04.03)
南韩三星电子（Samsung Electronics）将于本月起推出新款的NAND闪存Flex-OneNAND。该款闪存的特点在于设备厂商可根据应用的不同，自行设定成本与性能的平衡点。
在该款NAND闪存的记忆单元中，2bit/单元的多值单元（Multi-Level Cell；MLC）与1bit/单元的SLC的比率可自由设定 |
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英特尔针对嵌入型产品市场推出新款MLC闪存产品 (2005.05.06)
英特尔公司推出Intel Strata Flash®-嵌入型内存，该系列为低成本、高效能的NOR型闪存产品，以针对消费性电子、工业以及有线通讯等市场的嵌入型应用。 英特尔的第四代Multi-Level Cell(MLC)产品锁定各嵌入型方案市场的OEM厂商，这些厂商需要更高效能与密度的闪存 |
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英特尔针对嵌入式市场推出新款MLC闪存 (2005.04.08)
英特尔推出Intel StrataFlash嵌入型内存，该系列为低成本、高效能的NOR型闪存产品，以针对消费性电子、工业以及有线通讯等市场的嵌入型应用。英特尔的第四代Multi-Level Cell(MLC)产品锁定各嵌入型方案市场的OEM厂商，这些厂商需要更高效能与密度的闪存 |
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ST瞄准3G移动电话市场 发布256Mbit NOR型闪存 (2005.03.08)
ST日前发布了256Mbit的NOR型闪存芯片，该组件采用已建构的每单元（cell）2位架构，能在更小的裸晶尺寸中强化内存密度。ST的M30L0R8000x0是2位/cell系列的首款组件，目前ST也正在研发128Mbit与512Mbit的芯片 |
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英特尔夺回NOR型闪存龙头宝座 (2004.11.23)
据市调机构iSuppli最新报告指出，全球半导体大厂英特尔降价策略奏效，旗下NOR型闪存终于得以重振雄风，打败劲敌Spansion，夺得市场占有率第一的位置；此外，第三季NOR型flash市场规模比Q2衰退8.9%，除英特尔和三星外，前10名厂商表现纷纷退步，而Spansion该季销售额更是掉了2成 |
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益登取得AMD台湾区代理权 (2004.11.12)
益登科技12日宣布正式取得美商超威公司(AMD)台湾区产品代理权，负责代理及销售闪存(Flash memory)产品线，双方的合作将有助于进一步拓展AMD闪存在台湾的市场。
Spansion公司是在2003年由超威(AMD)和富士通共同合并其各自的闪存事业后所成立 |
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Flash市场两样情 NAND与NOR需求大不同 (2004.10.05)
全球第二大闪存（Flash）大厂日本东芝表示，因照相手机等数字消费性电子与汽车导航系统的高度需求，该公司NAND型闪存出货至9月底仍维持强劲；但以销售NOR型闪存为主的超威（AMD）却表示，市场需求出现趋缓迹象 |
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市场供过于求 NAND型Flash前景堪虑 (2004.09.13)
市调机构Semico Research针对闪存市场发表最新报告指出，在一年前看来前景一片欣欣向荣的闪存（Flash）市场出现大幅变化，特别是NAND型闪存，销售似乎急速冷却，因此该机构调降2004年闪存成长预估，并预期2005年该市场将出现零成长 |
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2005年Flash市场恐将出现衰退迹象 (2004.08.02)
市调机构iSuppli针对闪存（Flash）提出最新报告表示，2005年全球NOR型与NAND型闪存市场，恐因厂商扩产速度太快使产能过剩与平均价格下跌因素，而出现衰退现象，因此该机构将原先预估的闪存市场成长率18％，下修至衰退4.3％ |
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视讯转换器的可程式化解决方案 (2004.06.01)
可做为家庭娱乐与网路中心的视讯转换器（set-top box）正将数位革命带入消费者的客厅，也成为消费性电子市场的当红产品之一；而结合了影音播放、网路连线等典型消费性电子多样化功能的视讯转换器零组件设计，也成为一大挑战 |
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NAND与NOR型Flash将在手机市场出现竞争 (2004.02.16)
网站Silicon Strategies引述市调机构iSuppli报告指出，过去在不同领域各擅胜场的NAND型与NOR型闪存（Flash），将随着手机发展愈趋先进而在手机市场上正面遭遇竞争，而NOR型芯片的市场地位将遭到NAND型的挑战 |
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英特尔计划将Flash移往奥勒冈12吋厂生产 (2004.02.09)
网站Semiconductor Reporter引述市场分析师说法指出，英特尔（Intel）稍早前宣布将部份NOR型闪存（Flash）生产从美国加州移往奥勒冈州Hillsboro 12吋晶圆厂的做法，代表英特尔抵抗三星（Samsung）重登内存芯片龙头的强烈企图心，而目前英特尔全新Flash生产策略也略见雏形 |
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FASL计划进军NAND型Flash市场 (2004.01.08)
据日本工业新闻报导，由日本富士通与超威（AMD）合资成立的NOR型闪存（Flash）业者FASL日前表示，该公司有意跨足NAND型闪存市场，并预定在2004年中推出相关产品，与三星、东芝等主力厂商分庭抗礼 |
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Semico Research预估Flash缺货情况将持续4个月 (2003.11.27)
由于终端需求增加，目前市场正出现全球性的闪存（Flash）缺货状态，包括东芝等供应厂商随即宣布将增加资本支出，提高闪存产能，但据网站Silicon Strategies引述市调机构Semico Research报告，厂商扩产速度仍将缓不济急，估计目前闪存缺货期长达4个月 |
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谁是Flash龙头? 三星与英特尔分庭抗礼 (2003.11.25)
市调机构iSuppli公布2003年第三季全球闪存（Flash）供货商排名，南韩三星（Samsung）取代英特尔（Intel）成为全球最大供货商；但随后另一市调机构Semico Research公布相同的调查却显示，英特尔仍是最大Flash业者；对此Semico认为，NAND及NOR闪存不应加总计算，英特尔及三星分别应该是NOR及NAND型闪存最大供货商 |
