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ROHM叁展2024慕尼黑电子展以E-Mobility、车用和工控为展示主轴 (2024.11.06)
现今电子系统的需求日益成长，尤其是在永续经营和急需创新的市场方面，先进技术将成为助力。半导体制造商ROHM将於11月12日至15日叁加在德国慕尼黑举办的2024慕尼黑电子展（electronica 2024），展示提高车用和工控中功率密度、效率和可靠性的先进功率和类比技术，并进行技术交流合作 |
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Bourns全新薄型高爬电距离隔离变压器适用於闸极驱动和高压电池管理系统 (2024.10.27)
美商柏恩Bourns推出新款符合AEC-Q200标准的车规级薄型、高爬电距离隔离变压器。Bourns HVMA03F4A-LP8S系列驰返变压器专为提供高功率密度设计，实现更高效能且具备紧凑的外形尺寸，适用於闸极驱动器和高压电池管理系统(BMS)等多项应用场合， |
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Vishay IGBT和MOSFET驱动器拉伸封装可实现紧凑设计、快速开关 (2024.10.24)
Vishay Intertechnology推出两款采用紧凑、高隔离延伸型SO-6封装的新型IGBT和MOSFET驱动器。 Vishay Semiconductors VOFD341A和VOFD343A分别提供3 A和4 A的高峰值输出电流，提供高达 +125 。C的高工作温度和最大200 ns的低传播延迟 |
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Littelfuse推出首款用於SiC MOSFET栅极保护的非对称瞬态抑制二极体系列 (2024.10.22)
工业技术制造公司Littelfuse推出SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极体，为市场上首款非对称瞬态抑制解决方案，专为保护碳化矽（SiC）MOSFET栅极免受过压事件影响而设计 |
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英飞凌HybridPACK Drive G2 Fusion结合矽和碳化矽至电动汽车先进电源模组 (2024.10.16)
英飞凌科技推出HybridPACK Drive G2 Fusion，为电动汽车领域的牵引逆变器确立新的电源模组标准。HybridPACK Drive G2 Fusion是首款结合英飞凌矽（Si）和碳化矽（SiC）技术，可随??即用的电源模组 |
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电动压缩机设计核心-SiC模组 (2024.09.29)
电动压缩机是电动汽车热管理的核心零组件，对於电驱动系统的温度控制具有重要作用，对电池的使用寿命、充电速度和续航里程均至关重要，本文主要讨论SiC MOSFET 离散元件方案 |
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用於快速评估三相马达驱动设计的灵活平台 (2024.09.29)
为了实现环境目标并减少排放，世界各国政府纷纷推出立法，要求提高电动马达的效率。 |
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ROHM推出4款工业电源适用SOP封装通用AC-DC控制器IC (2024.09.10)
ROHM推出PWM控制方式FET外接型通用控制器IC，非常适用於工业设备的AC-DC电源。目前已有支援多种功率电晶体共4款新产品投入量产，包括低耐压MOSFET驱动用「BD28C55FJ-LB」、中高耐压MOSFET驱动用「BD28C54FJ-LB」、IGBT驱动用「BD28C57LFJ-LB」以及SiC MOSFET驱动用「BD28C57HFJ-LB」 |
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意法半导体新车规单晶片同步降压转换器让应用设计更弹性化 (2024.08.29)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）推出新系列汽车级降压同步DC/DC转换器，新产品有助於节省电路板空间，简化车身电子、音讯系统和逆变器闸极驱动器等应用设计。A6983转换器系列包括六款低功耗、低杂讯非隔离型降压转换器和一款隔离型降压转换器A6983I |
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为绿氢制造确保高效率且稳定的直流电流 (2024.08.27)
本文探讨绿氢的原理，并且展示如何运用功率组件，将环保能源的输入转换为具有产生绿氢所需特性的稳定电力输出。 |
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开启HVAC高效、静音、节能的新时代 (2024.08.01)
文:本次要介绍的产品，是来自德州仪器（TI）一款业界首创的650V三相智慧功率模组（Intelligent Power Module；IPM）━「DRV7308」，适用於250W马达驱动器应用。 |
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热泵背後的技术：智慧功率模组 (2024.07.26)
热泵是一种用於制冷和供暖的多功能、高效能技术。而高品质封装技术的关键，在於能够保持出色散热性能的同时优化封装尺寸，并且不降低绝缘等级。 |
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Littelfuse新款低侧栅极驱动器适用於SiC MOSFET和高功率IGBT (2024.06.13)
Littelfuse公司推出低侧SiC MOSFET和IGBT闸极驱动器IX4352NE，这款创新的驱动器专门设计用於驱动工业应用中的碳化矽（SiC）MOSFET和高功率绝缘栅双极电晶体（IGBT）。IX4352NE的主要优势在於其独立的9A拉/灌电流输出，支援量身定制的导通和关断时序，同时将开关损耗降至最低 |
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安森美第7代IGBT模组协助再生能源简化设计并降低成本 (2024.06.12)
安森美(onsemi) 最新发布第 7 代 1200V QDual3 绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 功率模组，与其他同类产品相比，该模组的功率密度更高，且提供高10%的输出功率。这800 安培 (A) QDual3 模组基於新的场截止第 7 代 (FS7) IGBT 技术，带来出色的效能表现，有助於降低系统成本并简化设计 |
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CGD与Qorvo合作开发马达控制应用的GaN叁考设计及评估套件 (2024.06.07)
无晶圆厂洁净技术半导体Cambridge GaN Devices（CGD）致力於开发氮化??（GaN）器件，近日与全球连接和电源解决方案供应商Qorvo合作开发 GaN 在马达控制应用中的叁考设计和评估套件（EVK） |
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功率循环 VS.循环功率 (2024.05.29)
缓解效应意味着经典的「功率循环」失效机制不会对压接型元件的寿命产生影响，这也是设计应用於铁路、船舶推进系统和电解工厂的原因之一。 |
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电动压缩机设计ASPM模组 (2024.04.25)
电动压缩机是电动汽车热管理的核心部件，对电驱动系统的温度控制发挥着重要作用，本文重点探讨逆变电路ASPM模组方案。 |
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英飞凌功率半导体为麦田能源提升储能应用效能 (2024.04.19)
近年来全球光储系统（PV-ES）市场快速增长。光储市场竞争加速，提高功率密度成为厂商得胜关键；英飞凌科技（Infineon）为逆变器及储能系统制造商麦田能源提供功率半导体元件，共同推动绿色能源发展 |
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瑞萨新款通用32位元RISC-V MCU采用自研CPU核心 (2024.03.26)
最近许多微控制器供应商都加入RISC-V联盟以促进产品的开发，瑞萨电子（Renesas Electronics）推出首款基於自研核心的RISC-V通用微控制器（MCU）。瑞萨已独立设计并测试新的RISC-V核心，现已完成商业化产品并在全球推广 |
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保障下一代碳化矽元件的供需平衡 (2024.02.23)
本文叙述思考下一代SiC元件将如何发展，从而实现更高的效能和更小的尺寸，并讨论建立稳健的供应链对转用SiC技术的公司的重要性。 |
