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保护智财权 英飞凌向尔必达提出专利侵权诉讼 (2010.02.24)
英飞凌23日宣布，该公司及其子公司英飞凌科技北美分公司已于2010年2月19日向美国国际贸易委员会（ITC）递交起诉书，称尔必达（Elpida Memory Inc.）制造并向美国进口销售的某些DRAM半导体产品侵犯了英飞凌在半导体制程和组件制造方面四项重要发明专利，涉嫌不公平贸易 |
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Apacer发表新款双信道DDR3超频内存模块 (2010.02.01)
宇瞻科技（Apacer）推出全新「第二代Giant系列双信道DDR3超频内存模块」，帮助游戏玩家打造极速超快感的桌面计算机游戏平台。宇瞻此款「第二代Giant系列双信道DDR3超频内存模块」除延续Giant系列巨型散热片的设计 |
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iSuppli公布2008年全球前20大半导体商排名 (2008.12.02)
外电消息报导，市场研究公司iSuppli公布了2008年全球前20大半导体商排名。其中英特尔以12.8%的市占率稳坐第一，其次为三星电子的6.7%，第三为德州仪器的4.3%。而在前20大半导体供货商中，内存IC供货商的营收下滑幅度最大，海力士半导体则是表现最差的厂商，其排名下降了三个位置，来到第九名 |
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尔必达DRAM全球占有率可望达到20％ (2008.11.03)
尔必达的DRAM全球占有率在2008年第二季（4～6月）约15％，第三季（2008年10～12月）将达20％。根据iSuppli调查显示，2008年第二季DRAM全球占有率，以营收估算，第一名的三星电子占30.3％，第二名的海力士半导体占19.5％，第三位是尔必达内存占15.4％ |
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尔必达与奇梦达将合作开发新一代DRAM (2008.04.29)
DRAM产业将有一番重组了。据了解，全球第三大厂德国奇梦达与第四大厂商尔必达内存将就合作开发DRAM技术签署备忘录，并将在近期正式签订协议。备忘录内容将包括：合作开发40nm制程以下的DRAM产品、并包括设计和制程技术在内的IP交叉授权，未来并将成立合资工厂，共同生产产品并统合经营策略等 |
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联电技术授权尔必达 广岛厂产能将用于代工 (2008.03.20)
尔必达与联电（UMC）就合作发展日本的芯片代工业务达成协议。据了解，尔必达将获得联电的IP内核与先进逻辑技术，在广岛尔必达内存的12吋晶圆厂（E300 Fab）进行晶圆生产 |
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RAMBUS XDR内存架构获德州仪器DLP投影机系统采用 (2007.06.20)
全球高速芯片设计技术授权公司Rambus宣布XDR内存架构已经获得德州仪器技术采用。由应用XDR内存架构的DLP芯片所驱动的投影机，能带来高度的鲜艳色彩和影像质量，非常适合播放电影、运动节目、游戏以及数码相片 |
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日本尔必达将在明年初决定新厂落脚何处 (2006.08.01)
根据路透社消息指出，全球第五大动态随机存取内存（DRAM）芯片制造商－日本尔必达内存（Elpida Memory）于2006年8月1号表示，将在明年初以前决定新芯片厂，在海外选择方面，考虑过税率和补贴事宜后，目标缩小到三个地方，考虑的建厂地点包括台湾、中国和新加坡 |
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Rambus看上欧洲消费电子市场 (2006.05.19)
Rambus是技术授权公司，专门从事高速IC接口的发明及设计。Rambus的总部设于美国加州的洛斯拉图斯（Los Altos）。在全球许多地区均设立据点。近日因看中欧洲消费性电子市场，于1月设立第一间办事处，将持续扩大服务范围，希望可以更着重在欧洲的消费性产品市场方面 |
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茂硅于美国提出IP侵权案 (2002.05.16)
美国国际贸易委员会目前正在着手调查一桩由台湾茂硅电子公司所提出的侵害半导体专利权案，国际贸易委员会官员指出，委员会议已经投票通过对这个涉及半导体记忆装置，以及含有内存装置的案子展开调查，调查案中所谓的半导体记忆装置是指DRAM、SDRAM、闪存以及含有它们的产品 |
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NEC与Hitachi合作生产DRAM (2000.11.29)
恩益禧(NEC)与日立(Hitachi)于28日表示，两家公司将花费14亿5千万美元于Hiroshiam合资设立一工厂，并从2002年开始，生产下一代的DRAM记忆体晶片。
上述工厂由介于NEC与Hitachi两家公司的合资企业Elpida Memory来主导，而Elpida Memory将于十二月设置完成 |
