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瑞萨成功开发「鳍状MONOS快闪记忆体单元」 (2017.02.03)
适用于16/14奈米以上制程节点的高效能、高可靠性微控制器 瑞萨电子(Renesas)宣布成功开发全球首创采用鳍状电晶体的分离闸金属氧氮氧矽(SG-MONOS)快闪记忆体单元，适用于电路线宽仅16至14奈米(nm)或更精细的微控制器(MCU)制程，且其中晶片内建快闪记忆体


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