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美商联邦先进在台投片生产MRAM 委由茂硅代工 (2001.03.23)
美商联邦先进半导体(USTC)昨(20)日表示，研发成功的1个兆位(1Mbits)磁阻式随机存取内存(MRAM)，已在台投片生产，并委由茂硅代工生产，预估今年下半年的产能即可达到1.6万片，明年全球营收将突破1亿美元
巨磁阻随机存取记忆体(MRAM)工作原理及未来产域应用 (2000.09.01)
由台湾厂商投资的美国联邦先进半导体科技公司(Union Semiconductor Technology)于7月在台发表巨磁阻随机存取记忆体(MRAM)，掀起国内外各界对未来记忆体的发展产生极大的兴趣。
联邦先进成功研发1M MRAM (2000.07.20)
美商联邦先进半导体(USTC)19日宣布，该公司已成功研发100万位(1M)磁阻式随机存取内存(MRAM)技术。该公司并与交通大学签约，就MRAM高阶应用、材料研发做进一步合作。 联邦先进半导体董事长林鸿联表示


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