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交大颁授旺宏电子吴敏求董事长名誉博士学位 (2020.05.18)
国立交通大学今（18）日颁授旺宏电子股份有限公司董事长暨执行长吴敏求先生名誉博士学位，表彰其在企业经营及社会公益的重要贡献。
吴敏求先生是台湾半导体产业的先驱及创新人物 |
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威世科技推出新款8 mm x 8 mm x 1.8 mm PowerPAK 8x8L封装 (2015.08.04)
威世科技（VISHAY）推出新款8 mm x 8 mm x 1.8 mm PowerPAK 8x8L 封装，旨在针对汽车应用常用的D2PAK 及DPAK 器件提供节省空间又节能的高电流替代方案。威世Siliconix SQJQ402E 40 V TrenchFET功率MOSFET 是业界首款通过AEC-Q101 认证且尺寸为8 mm x 8 mm 的MOSFET，也是首款采用海鸥脚引线，来消除机械应力的8 mm x 8 mm 封装 |
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威世科技VRPower整合DrMOS提供多相于高功率密度调节器POL (2014.12.25)
威世科技（Vishay）推出新型VRPower整合型DrMOS功率级解决方案，提供三种PowerPAK封装尺寸，以应对高功率高效率多相POL应用领域。威世Siliconix SiC789与SiC788采用MLP66-40L封装，为Intel 4.0 DrMOS 标准（6 mm x 6 mm）脚位，而SiC620及SiC620R则采用全新的5 mm x 5 mm MLP55-31L封装，SiC521则是4.5 mm x 3.5 mm的MLP4535-22L封装 |
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Mouser 供应 Vishay Siliconix TrenchFET 功率 MOSFET (2012.11.23)
Mouser 日前开始供应 Vishay Siliconix的芯片级封装，并将导通电阻降至 1.2V 的 MOSFET。 Vishay Siliconix 的 Si8802 TrenchFet 功率 MOSFET 是采用最小的 0.8mm x 0.8mm 芯片级封装，亦即 Vishay 的 MICRO FOOT，将导通电阻降至 1.2V 的 N 信道组件 |
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Intersil力邀Andrew Cowell任消费产品资深副总裁 (2011.06.21)
Intersil Corporation近日宣布，Andrew Cowell已加入该公司担任新设立的消费性电子产品事业群资深副总裁。此新的事业群是由Intersil电源管理和模拟暨混合讯号产品事业群内的消费性电子产品线组成 |
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Vishay推出新款p信道功率MOSFET系列 (2008.08.21)
Vishay推出采用PowerPAK SC-75封装的p信道功率MOSFET系列，该系列包括额定电压介于8V～30V的多个器件，这些是采用此封装类型的首批具有上述额定电压的器件。
日前推出的这些器件包括首款采用PowerPAK SC-75封装的-12V(SiB419DK)及-30V(SiB415DK)单p信道功率MOSFET |
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Vishay推出新型Siliconix功率MOSFET (2008.06.05)
Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出15款采用2 mm×2 mm的PowerPAK SC-70封装、浓度为0.8 mm的新型功率MOSFET。
新产品包括用于不同应用的各种配置及额定电压，除了n信道及p信道的互补对外，还包括n信道及p信道的单路、单路带肖特基二极管的及双路的器件 |
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Vishay推出20V p信道TrenchFET功率MOSFET (2008.04.10)
日前，为满足对可携式设备中更小组件的需求，Vishay推出20V p信道TrenchFET功率MOSFET，该组件采用MICRO FOOT芯片级封装，具有此类组件中最薄厚度及最低导通电阻。
Vishay Siliconix Si8441DB具有0.59mm的超薄厚度，以及1.5mm×1mm的占位面积 |
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Vishay新型控制器IC 针对中间总线转换器应用 (2008.03.02)
Vishay推出针对中间总线转换器（IBC）应用的两款新型控制器IC，这两款器件是率先将高压（75V）半桥 MOSFET驱动器与1.6A峰值电流驱动功能以及各种电流监控功能整合在一起的单芯片器件 |
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Vishay推出新系列汽车用TrenchFET功率MOSFET (2007.11.15)
Vishay推出已通过AEC-Q101认证的新系列汽车用TrenchFET功率MOSFET，该系列包含两款采用PowerPAK 1212-8封装且额定结温为175°C的60V组件。日前推出的组件为在10V栅极驱动时导通电阻为25毫欧的Vishay Siliconix n信道SQ7414EN以及额定导通电阻为65毫欧的p信道SQ7415EN |
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VSH推出三款面向OR-ing应用的功率MOSFET (2007.11.08)
Vishay Intertechnology, Inc.(VSH)推出三款面向OR-ing应用的功率MOSFET，这些器件具有三种封装选择，可提供最佳的导通电阻性能，凭借这三款器件，公司将有助于提升固定电信网络的效率 |
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Vishay推出新系列P信道MOSFET (2007.10.11)
Vishay推出新系列P信道MOSFET，这些组件建立了每单位面积最低导通电阻的新记录。基于新一代TrenchFET芯片技术的新型Vishay Siliconix组件采用PowerPAK SC-70封装（2.05 mm×2.05 mm）时最大导通电阻额定值为29毫欧，采用标准SC-70封装（2.0 mm ×2.1 mm）时为80毫欧，采用SC-89封装（1.6 mm×1.6 mm）时为130毫欧 |
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Vishay的MOSFET帮助设计人员简化电源管理电路 (2007.08.16)
Vishay宣布推出业界首批在1.2V栅源电压时具有额定导通电阻值的功率MOSFET，这一进步将帮助设计人员简化电源管理电路，同时延长可擕式电子系统中的电池运行时间。
额定电压为1.2V的这些新型Vishay Siliconix TrenchFET器件使MOSFET导通电压与移动电子设备中使用的数字IC的1.2V～1.3V工作电压保持一致，从而可实现更安全、更可靠的设计 |
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Vishay增添四款新型 Siliconix PolarPAK组件 (2007.01.23)
Vishay在具有双面冷却功能的PolarPAK功率MOSFET系列中增添了新型n信道20V、30V及40V组件，从而为设计人员提供了通过更出色的MOSFET散热性能减小系统尺寸及成本的新方式。
这四款新型Vishay Siliconix PolarPAK组件面向电信及数据通信系统中的同步整流、负载点转换器及OR-ing应用 |
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Vishay提供免费在线MOSFET热仿真工具 (2006.12.12)
Vishay Intertechnology, Inc.在其网站上推出一款网上工具，可供设计人员详细仿真在各种应用中Vishay Siliconix MOSFET在运行时的热效应情况及其受邻近组件的影响如何。Vishay新推出的ThermaSim（可从http://www.vishay.com/thermal-modelling下载）是一款免费的工具，通过在原型设计前进行详细的热仿真，有助于设计人员缩短产品上市时间 |
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Analogic与Siliconix专利侵权诉讼达成和解 (2006.10.23)
专为行动消费性电子组件提供电源管理半导体之开发厂商Analogic，日前与Vishay子公司Siliconix针对专利侵害诉讼达成和解协议，该诉讼系Siliconix于2004年1月向美国加州北区联邦地方法院提出关于侵犯trench DMOS技术之三项美国专利 |
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简单闩锁式过电流错误侦测电路介绍 (2006.08.07)
简易闩锁式过电流错误侦测电路可以在输入电压超过2.7V的150μs后立即提供保护，同时也可以透过外部P信道切换开关的闸极电压限制在电源启动时带来冲入电流限制功能。本文将介绍应用于低电压电路保护，具备快速反应能力的简易过电流侦测电路 |
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Vishay新型双光电MOSFET驱动器问世 (2006.02.27)
Vishay Intertechnology,Inc.宣布推出一款新型固体继电器——双光电MOSFET驱动，该器件实现了断路电压与短路电流组合。与等同的电机械继电器设计相比，当与Vishay Siliconix MOSFET相结合时，这款新型VO1263AB可实现更长的产品使用寿命、更高的可靠性及更快速的切换 |
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Vishay新型模拟开关实现直接电池运行 (2005.05.26)
Vishay推出一系列可在可擕式应用中实现直接电池运行的新型模拟开关。这些新型开关在1.6V～4.3V的整个电压范围内具有低导通电阻和低电平逻辑控制，它们主要面向终端产品，包括手机、机顶盒、PDA及媒体播放器 |
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Siliconix incorporated首款n信道MOSFET问世 (2005.04.21)
日前，拥有80.4%股份的Vishay Intertechnology,Inc.子公司Siliconix incorporated宣布推出将3.4V高阈值电压与2.7毫欧低导通电阻相结合的首款n信道MOSFET。具有40V和60V版本的这10款新型MOSFET主要用于汽车、工业及固定电信行业中具有电感负载的高温、高电流应用，例如高端开关、电机驱动及12V板网 |
