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打造6G射频设计利器 imec推出热传模拟架构 (2022.12.06)
本周IEEE国际电子会议（IEDM）上，比利时微电子研究中心（imec）利用一套蒙地卡罗（Monte Carlo）模型架构，首次展示如何透过微观尺度的热载子分布来进行先进射频元件的3D热传模拟，用於5G与6G无线传输应用 |
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超越5G时代的射频前端模组 (2021.01.05)
透过整合深宽比捕捉（ART）技术与奈米脊型工程，爱美科成功在300mm矽基板上成长出砷化镓或磷化铟镓的异质接面双极电晶体，实现5G毫米波频段的功率放大应用。 |
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用于射频前端模组的异质三五族CMOS技术 (2020.02.10)
随着首批商用5G无线网路陆续启用，爱美科为5G及未来世代通讯应用准备了下世代的行动手持装置。 |
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TrendForce：5G推升需求 GaAs射频元件2020年成长动能显现 (2019.07.08)
根据TrendForce旗下拓??产业研究院报告指出，由於现行射频前端元件制造商依手机通讯元件的功能需求，逐渐以GaAs晶圆作为元件的制造材料，加上随着5G布建逐步展开，射频元件使用量较4G时代倍增，预料将带动GaAs射频元件市场於2020年起进入新一波成长期 |
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TrendForce研讨会 「3D感测技术因运算能力增强而崛起」 (2018.03.27)
全球市场研究机构TrendForce与旗下拓??产业研究院3/27於台大医院国际会议中心101室，举办「3D 感测技术崛起：消费性电子的应用与商机」研讨会。本次研讨会邀请AIXTRON、高通、英特尔、德州仪器、微软等大厂探讨3D 感测技术发展 |
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是德科技与三安集成策略合作推出HBT、pHEMT制程设计套件 (2016.05.03)
是德科技软体和服务可协助三安集成加速完成HBT和pHEMT制程PDK的开发制作可靠、高功率的先进pHEMT及HBT元件，缩短产品上市时间。
是德科技（Keysight）日前宣布与中国厦门三安集成签署合作备忘录（MoU），双方将以是德科技先进设计系统（ADS）软体为基础，共同合作开发适用于三安集成的HBT和pHEMT制程的先进制程设计套件（PDK） |
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意法半导体先进半导体技术为未来行动网路基础设施奠定重要根基 (2015.08.04)
意法半导体基于BiCMOS的射频收发器可让行动网路回程线路数据速率高达10Gbps，同时提升毫米波段的频谱效率
意法半导体（STMicroelectronics，ST）的BiCMOS55 SiGe先进技术获欧洲E3NETWORK研发专案采用，用于开发适合下一代行动网路的高效率、高容量数据传输系统 |
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Microchip推出新型5GHz功率放大器模块 (2015.03.23)
Microchip 公司（美国微芯科技）推出采用IEEE 802.11ac 超高数据速率Wi-Fi标准的新型SST11CP22 5 GHz 功率放大器模块 （PAM）。新型PAM在1.8%动态EVM（误差向量振幅）、MCS9 80 MHz带宽情况下的线性输出功率为19 dBm |
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瑞萨推出SiGe:C异质接面晶体管 提供低噪声效能 (2011.09.28)
瑞萨电子（RENESAS）日前宣布推出新款SiGe:C异质接面晶体管NESG7030M04，可做为低噪声放大晶体管用于无线局域网络系统、卫星无线电及类似应用。本装置的制程采用全新开发的硅锗：碳（SiGe:C）材料并达到低噪声效能 |
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低频噪声功率谱密度的SiGe异质结双极晶体管表征-低频噪声功率谱密度的SiGe异质结双极晶体管表征 (2011.04.06)
低频噪声功率谱密度的SiGe异质结双极晶体管表征 |
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ESD保护的SiGe HBT射频功率放大器-ESD保护的SiGe HBT射频功率放大器 (2011.03.11)
ESD保护的SiGe HBT射频功率放大器 |
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Ku波段InGaP-GaAs HBT的单片压控振荡器和微分拓扑与平衡-Ku波段InGaP-GaAs HBT的单片压控振荡器和微分拓扑与平衡 (2010.12.09)
Ku波段InGaP-GaAs HBT的单片压控振荡器和微分拓扑与平衡 |
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Avago推出全新功率放大器模块（PAM） (2010.10.25)
Avago公司近日宣布，推出全新功率放大器模块（PAM），可延长GSM/EDGE通讯手机的通话时间。全新ACPM-7868 PAM与Qualcomm最新一代芯片组完全兼容，支持线性四频带GSM/EDGE运作，为全球最广泛采用的行动通讯标准进一步提升功率效能 |
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华虹NEC采用安捷伦器件仿真软件成功开发RF平台 (2010.06.30)
安捷伦科技（Agilent）于日前宣布，上海华虹NEC电子公司（Hua Hong NEC Electronics）已成功运用安捷伦的集成电路特性描述与分析程序 (IC-CAP) 软件，开发出0.35和0.18微米射频半导体组件适用的射频组件仿真平台 |
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Avago发表多模3x3功率放大器模块产品 (2010.05.12)
Avago（安华）日前宣布推出10款新精简型UMTS功率放大器模块（PAM, Power Amplifier Module）产品，
可以带来更长的通话时间与电池使用寿命，并支持UMTS Band 1、2、4、5与8。
「在新推出的ACPM-500x与ACPM-520x系列中我们整合了一级客户对于整合定向耦合器、多重模式功率控制、低电流以及高附加功率效率(PAE, Power Added Efficiency)的需求 |
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ADI推出新款中频增益区块放大器 (2010.01.25)
美商亚德诺（Analog Devices，ADI）上周五（1/22）宣布，发表两款新的中频（IF）增益区块放大器。 ADL5535和ADL5536增益区块放大器具有由内部匹配的中频增益区块，该区块结合最高等级的线性度和噪声度效能，因此可提供最高的动态范围 |
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安捷伦推出适用高带宽示波器之新一代芯片组 (2009.12.26)
安捷伦科技（Agilent）于周二（12/22）宣布，新一代高带宽示波器因成功启用采磷化铟（InP）技术的前端芯片组，而提供了突破性的功能。新款芯片组使安捷伦得以在2010上半年，推出模拟带宽高于16 GHz的示波器 |
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三星采用ANADIGICS的WCDMA功率放大器系列 (2009.07.27)
ANADIGICS, Inc宣布，三星已选择ANADIGICS的两款WCDMA功率放大器（PAs）用于其新型Omnia HD和Memoir 3G手机。ANADIGICS的AWT6224 3G功率放大器用于世界上第一款可提供高解晰影像录制功能的手机-三星新型全触摸屏Omnia HD手机中，而AWT6282被选中用于驱动800万画素的Memoir 3G手机 |
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Avago新前端模块产品针对行动网络手机市场 (2009.05.07)
安华高科技（Avago Technologies）宣布，推出了两款整合功率放大器（PA,Power Amplifier）、双工器、带通滤波器与耦合器，可以改善效率并延长通话时间的前端模块（FEM,Front End Module）产品 |
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实现无线存取功能之半导体组件 (2009.02.05)
不论是可携式设备还是WLAN卡应用中，多媒体存取的发展趋势不断成长，这要求讯号链路能具有以下的特点：占位面积小、功耗低和提供多模多频带性能。而能满足上述所有要求的解决方案无疑就是硅半导体制程，比如硅锗（SiGe） |
