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英飞凌全新CoolGaN Drive产品系列整合驱动器单开关和半桥 (2024.09.20)
消费电子和工业应用领域正趋向便携化、电气化、轻量化等多样化发展，因此需要紧凑高效的设计，同时还需采用非常规PCB设计，但此类设计面临严格的空间限制，从而限制外部元件的使用 |
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Littelfuse新款低侧栅极驱动器适用於SiC MOSFET和高功率IGBT (2024.06.13)
Littelfuse公司推出低侧SiC MOSFET和IGBT闸极驱动器IX4352NE，这款创新的驱动器专门设计用於驱动工业应用中的碳化矽（SiC）MOSFET和高功率绝缘栅双极电晶体（IGBT）。IX4352NE的主要优势在於其独立的9A拉/灌电流输出，支援量身定制的导通和关断时序，同时将开关损耗降至最低 |
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生成式AI助功率密集的计算应用进化 (2024.06.13)
业界需要一种新的供电架构来控制生成式AI训练模型的能源消耗 |
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电动压缩机设计ASPM模组 (2024.04.25)
电动压缩机是电动汽车热管理的核心部件，对电驱动系统的温度控制发挥着重要作用，本文重点探讨逆变电路ASPM模组方案。 |
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意法半导体GaN驱动器整合电流隔离功能 兼具安全性和可靠性 (2023.11.13)
意法半导体（STMicroelectronics，ST）推出首款具有电流隔离功能的氮化??（GaN）电晶体闸极驱动器，新款STGAP2GS缩小了晶片尺寸，同时降低物料清单成本，能够满足应用对宽能隙晶片的效能以及安全性和电气保护的更高需求 |
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CGD、群光电能与剑桥大学技术服务部共组GaN生态系统 (2023.11.06)
英商剑桥氮化??元件有限公司（Cambridge GaN Devices；CGD）是一家专注於研发高效能氮化??（GaN）功率元件的半导体公司，致力於打造更环保的电子元件。近日与台湾的电力电子系统整合方案供应商群光电能（Chicony Power Technology）、英国剑桥大学技术服务部（CUTS）签署一项三方协议 |
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SiC Traction模组的可靠性基石AQG324 (2023.10.13)
在汽车功率模组的开发过程中，由欧洲电力电子中心主导的测试标准AQG324非常重要，只有完成根据它的测试规范设计的测试计画，才能得到广大的车厂认可，而汽车级SiC功率模组也必须通过AQG324的测试规范 |
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CGD推出ICeGaN 650 V氮化??HEMT系列产品 (2023.05.12)
Cambridge GaN Devices（CGD）今日宣布推出第二代的 ICeGaN 650 V氮化?? HEMT 系列产品，提供领先业界的耐用性、易於使用及最高效率等特色。H2 系列 ICeGaN HEMT 采用 CGD 的智慧闸极介面，几??消除一般 E 模式 GaN 的各种弱点，大幅加强过电压耐用性、提供更高的抗杂讯??值，以及提升 dV/dt 抑制和 ESD 保护效果 |
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CGD ICeGaN产品技术经维吉尼亚理工大学研究获验证 (2023.04.10)
无晶圆厂无尘技术半导体公司Cambridge GaN Devices（CGD）使用氮化?? （GaN）开发出多款高能效功率装置，协助打造出更为环保的电子产品；CGD 宣布由学术研究机构维吉尼亚理工大学进行的独立第三方研究表现，CGD 的 ICeGaN氮化??技术较其他氮化??平台更具可靠性及坚固性 |
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贸泽和TE Connectivity出版最新电子书 分析智慧车载系统设计 (2023.03.22)
贸泽电子（Mouser Electronics）宣布与TE Connectivity合作出版最新的电子书，书中将重点介绍智慧车载系统设设计中必然会遇到的挑战。
在7 Experts on Design Considerations for Fleet Telematics（7位专家联手献策：智慧车载系统设计考量）这本书中 |
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ST推出ACEPACK SMIT功率元件封装 提升散热效率 (2023.01.17)
意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）推出多种常用桥式拓扑的ACEPACK SMIT封装功率半导体元件。相较於传统穿孔型封装，意法半导体先进之ACEPACK SMIT封装能够简化组装制程，提升模组的功率密度 |
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达梭与三星重工合建数位造船厂 回应国际能源迫切需求 (2022.12.27)
面对国际因俄乌战火带来新一波能源危机，带动国际造船需求。达梭系统（Dassault Systemes）今（27）日宣布与高科技造船领域全球领导者三星重工（Samsung Heavy Industries）签署合作备忘录（Memorandum of Understanding；MOU），双方将以数位转型所实现的新技术为基础，合作建设「智慧造船厂」，并将其打造成具备竞争优势的全数位化造船厂 |
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台湾团队创新研发隹绩 2023 ISSCC入选23篇论文抢先发表 (2022.11.15)
国际固态电路研讨会（International Solid-State Circuits Conference；ISSCC）向来有IC设计领域奥林匹克大会之称，将於2023年2月19日至23日在美国旧金山举行。台湾共有23篇论文入选，不仅较2022年多8篇获选，同时创下近五年来获选论文数量最多的隹绩！展现台湾先进半导体与固态电路领域技术研发的实力斐然 |
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以碳化矽技术牵引逆变器 延展电动车行驶里程 (2022.11.14)
半导体技术革命催生了新的宽能隙元件，例如碳化矽（SiC）MOSFET功率开关，使得消费者对电动车行驶里程的期??，与OEM在成本架构下实现缩小里程之间的差距。 |
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以碳化矽MOSFET实现闸极驱动器及运作 (2022.08.19)
碳化矽MOSFET的驱动方式与传统的矽MOSFET和绝缘闸双极电晶体（IGBT）不同，本文叙述在碳化矽应用进行闸极驱动时，设计人员如何确保驱动器具备足够的驱动能力。 |
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英飞凌CoolSiC助力台达双向逆变器 化EV为家庭紧急备用电源 (2022.08.03)
英飞凌科技股份有限公司宣布旗下CoolSiC产品获得全球领先的电力与能源管理解决方案供应商台达电子（Delta Electronics）选用，助力台达朝向利用绿色电力实现能源转型与碳中和的目标迈出了一大步 |
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ST发表全新MDmesh MOSFET 提升功率密度与效能 (2022.06.08)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）新推出之STPOWER MDmesh M9和DM9矽基N通道超接面多汲极功率MOSFET电晶体适用於设计资料中心服务器、5G基础建设、平面电视的交换式电源供应器（Switched-Mode Power Supply，SMPS） |
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英飞凌推出1700 V TRENCHSTOP IGBT7的EconoDUAL 3模组 (2022.05.31)
英飞凌科技股份有限公司近日发布了采用EconoDUAL 3标准工业封装的全新1700 V TRENCHSTOP IGBT7模组。凭藉这项全新的晶片技术，EconoDUAL 3模组可提供业界领先的900 A和750 A额定电流，进一步拓展逆变器的功率范围 |
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英飞凌推出650 V CoolSiC MOSFET 展现极高系统可靠性 (2022.04.01)
英飞凌科技股份有限公司推出650 V CoolSiC MOSFET系列新产品。该产品具有高可靠性、易用性和经济实用等特点，能够提供卓越的性能。
这些SiC元件采用英飞凌先进的SiC沟槽式工艺、精简的D2PAK表面贴装 7 引脚封装和 |
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意法半导体全新两款双通道闸极驱动器简化电路设计 (2022.02.21)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）新推出两款双通道电气隔离IGBT和碳化矽（SiC）MOSFET闸极驱动器，能在高压电力转换和工业应用中节省空间，简化SiC和IGBT开关电路设计。
IGBT驱动器STGAP2HD和SiC MOSFET驱动器STGAP2SICD利用意法半导体最新的电气隔离技术，并采用SO-36W宽体封装，可承受6kV瞬态电压 |
