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ROHM新款SiC萧特基二极体支援xEV系统高电压需求 (2024.11.14)
半导体制造商ROHM开发出引脚间沿面距离更长、绝缘电阻更高的表面安装型SiC萧特基二极体(SBD)。目前产品阵容中已经有适用於车载充电器(OBC)等车载应用的「SCS2xxxNHR」8款机型
贸泽与ADI合作全新电子书探索电子设计电源效率与耐用性 (2024.11.13)
贸泽电子(Mouser Electronics)与美商亚德诺(ADI)合作出版全新的电子书,重点介绍最隹化电源系统的基本策略。在《Powering the Future: Advanced Power Solutions for Efficiency and Robustness》(为未来提供动力:实现效率和耐用性的进阶电源解决方案)中,ADI和贸泽的主题专家针对电源系统中最重要的元件、架构和应用提供深入分析
Microchip IGBT 7功率元件组合优化永续、电动出行和资料中心应用设计 (2024.11.13)
因应电力电子系统设计,功率元件不断发展。Microchip推出采用不同封装、支援多种拓扑结构及电流和电压范围的IGBT 7元件组合,具有更高的功率容量、更低的功率损耗和紧凑的元件尺寸,旨在满足永续、电动汽车和资料中心等高增长细分市场的需求
ROHM第4代1200V IGBT实现顶级低损耗和高短路耐受能力 (2024.11.12)
近年来,汽车和工业设备朝高电压化方向发展,市场开始要求安装在车载电动压缩机、HV加热器和工业设备逆变器等应用中的功率元件支援高电压。半导体制造商ROHM针对车载电动压缩机、HV加热器、工业设备用逆变器等,开发出符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101、1200V耐压、实现业界顶级低损耗和高短路耐受能力的第4代IGBT
意法半导体整合化高压功率级评估板 让马达驱动器更小且性能更强 (2024.11.11)
意法半导体(STMicroelectronics;ST)推出三相马达驱动器PWD5T60,搭配支援灵活控制策略的即用型评估板,可加速采用节能马达之小尺寸以及可靠的风扇和帮浦开发速度。PWD5T60的运作电压达500V,整合一个闸极驱动器和六个RDS(ON) 1.38?的功率MOSFET,使该元件能够达到出色的额定能量面积比例
ST推广智慧感测器与碳化矽发展 强化於AI与能源应用价值 (2024.11.11)
面对近年来工业4.0概念持续发展,并加入人工智慧(AI)普及化、节能减碳等热门议题引发关注,意法半导体(ST)也在近期提出包含MEMS感测器和碳化矽(SiC)等高效解决方案,探讨可在边缘AI领域扮演的关键角色,使其更易於普及,让每个人都能受益
SiC MOSFET:意法半导体克服产业挑战的颠覆性技术 (2024.11.11)
意法半导体中国及APeC车用SiC产品部门经理Gaetano Pignataro分享了他对碳化矽(SiC)市场的观点、行业面临的挑战以及ST应对不断增长需求的策略。
英飞凌推出EiceDRIVER 125 V高侧闸极驱动器 故障即时保护电池 (2024.11.07)
在电机驱动和开关模式电源(SMPS)等电池供电应用中,电源架构通常要求在模组发生故障时能够断开该模组与主电源轨的连接。为实现这一功能,往往会采用MOSFET等高侧断开开关,以防止负载短路影响电池
Power Integrations推1700V氮化??切换开关IC (2024.11.05)
Power Integrations推出其 InnoMux-2 系列的单级、独立稳压多路输出离线式电源供应器 IC 的新成员。新装置采用了业界首款透过该公司专有 PowiGaN 技术制造的 1700 V 氮化??切换开关
贸泽为基础架构和智慧城市设立工程技术资源中心 (2024.10.30)
基础架构是所有城市的基础,涵盖从公共运输网路到电网和通讯系统的所有一切。随着数位化程度不断提升,智慧城市技术不只强化基础架构,更改变人们的日常生活,例如透过整合智慧电表感测器收集有关能源和水的珍贵资料
奥迪导入恩智浦UWB产品组合 实现免持汽车门禁 (2024.10.30)
恩智浦半导体今(30)日宣布,将提供该公司於业界最广泛应用的超宽频(Ultra-Wideband;UWB)产品组合之一的Trimension NCJ29Dx系列IC,为奥迪Audi AG的先进新型UWB平台奠定技术基础,满足高阶汽车制造商所需的精确与安全实时定位功能;并透过智慧行动装置和其他基於UWB的功能,实现免持安全汽车门禁
谁在守护机器安全?资安管理与存取控制必备指南 (2024.10.29)
资安管理是保护企业营运的关键防线。透过个人化权限管理与资安措施,不仅防止资料泄露,更确保生产不中断与人员安全。如何有效防范未经授权操作并提升效率?本文叙述实用技术与最隹化策略协助全面保护企业安全
Littelfuse的KSC DCT轻触开关 提供双电路技术与SPDT功能 (2024.10.29)
Littelfuse公司宣布推出C&K开关KSC DCT系列轻触开关。 KSC DCT(双电路技术)系列是密封的IP67级瞬时动作轻触开关,采用表面贴装技术(SMT),旨在为使用者提供高适应性良好触感
贸泽电子推新品:2024年Q3新增近7,000项元件 (2024.10.29)
贸泽电子(Mouser Electronics)协助客户加快产品上市速度。贸泽受到超过1,200个半导体及电子元件制造商品牌的信赖,帮助他们将新产品卖到全世界。贸泽为客户提供100%通过认证的原厂产品,而且还能追踪这些产品自离开制造商工厂以後的完整路线
Nexperia的AC/DC反激式控制器可实现更高功率密度 (2024.10.29)
控制器可提高电源效率并降低待机功耗 Nexperia推出一系列新AC/DC反激式控制器,扩展电源IC产品组合。NEX806/8xx和NEX8180x专为基於GaN的反激式转换器而设计,用於PD(Power Delivery)快速充电器、适配器、壁式??座、条形??座、工业电源和辅助电源等设备及其他需要高功率密度的AC/DC转换应用
Littelfuse新款KSC DCT轻触开关提供双电路技术与SPDT功能 (2024.10.29)
Littelfuse公司推出C&K开关轻触开关KSC DCT(双电路技术)系列。KSC DCT系列是密封的IP67级瞬时动作轻触开关,采用表面贴装技术(SMT),为使用者提供高适应性良好触感。KSC DCT是首款提供单刀双掷(SPDT)功能的轻触开关,轻薄小巧,尺寸为6.2×6.2×5.2 mm
Bourns全新薄型高爬电距离隔离变压器适用於闸极驱动和高压电池管理系统 (2024.10.27)
美商柏恩Bourns推出新款符合AEC-Q200标准的车规级薄型、高爬电距离隔离变压器。Bourns HVMA03F4A-LP8S系列驰返变压器专为提供高功率密度设计,实现更高效能且具备紧凑的外形尺寸,适用於闸极驱动器和高压电池管理系统(BMS)等多项应用场合,
德州仪器扩大氮化??半导体内部制造作业 将自有产能提升至四倍 (2024.10.25)
德州仪器 (TI) 已开始在日本会津的工厂生产氮化?? (GaN) 功率半导体。随着会津厂进入生产,加上位於德州达拉斯的现有GaN制造作业,TI 现针对GaN功率半导体的自有产能可增加至四倍之多
让IoT感测器节点应用更省电 (2024.10.24)
本文比较在船舶模式或睡眠模式下,使用负载开关、RTC和外部按钮控制器的传统解决方案,与使用整合解决方案改进方案的特性,探讨如何在物联网(IoT)感测器节点应用中更好地实现节能
诌:绿色回收与半导体科技的新未来 (2024.10.24)
诌的环保回收值得关注,特别是从电子废弃物中回收诌,提高回收率并降低成本,减少资源浪费降低环境负荷。此外,诌近来在半导体先进制程中扮演要角,无疑也是一个值得重视和推进的方向


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4 Littelfuse推出首款用於SiC MOSFET栅极保护的非对称瞬态抑制二极体系列
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10 意法半导体新款750W马达驱动叁考板适用於家用和工业设备

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