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三菱电机将交付用於xEV的SiC-MOSFET裸晶片样品 (2024.11.12)
三菱电机株式会社（Mitsubishi Electric）宣布，将开始发货用於驱动马达的碳化矽 （SiC) 金属氧化物半导体场效电晶体（MOSFET）裸晶片样品11月14日，三菱电机推出电动车（EV）、??电式混合动力车（PHEV）和其他电动车（xEV）的逆变器 |
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ST推广智慧感测器与碳化矽发展 强化於AI与能源应用价值 (2024.11.11)
面对近年来工业4.0概念持续发展，并加入人工智慧（AI）普及化、节能减碳等热门议题引发关注，意法半导体（ST）也在近期提出包含MEMS感测器和碳化矽（SiC）等高效解决方案，探讨可在边缘AI领域扮演的关键角色，使其更易於普及，让每个人都能受益 |
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SiC MOSFET：意法半导体克服产业挑战的颠覆性技术 (2024.11.11)
意法半导体中国及APeC车用SiC产品部门经理Gaetano Pignataro分享了他对碳化矽（SiC）市场的观点、行业面临的挑战以及ST应对不断增长需求的策略。 |
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意法半导体公布第三季财报 工业市场持续疲软影响销售预期 (2024.11.08)
全球半导体领导厂商意法半导体（STMicroelectronics；ST）公布依照美国通用会计准则（U.S. GAAP）编制截至2024年9月28日的第三季财报。意法半导体第三季净营收达32.5亿美元，毛利率37.8%，营业利润率11.7%，净利润为3.51亿美元，稀释每股盈馀37美分 |
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Ansys获台积2024年合作夥伴奖 助加速 AI、HPC 和矽光子IC 设计 (2024.11.05)
表彰在AI、HPC 和矽光子系统的卓越设计支援方面，Ansys获 TSMC 2024 年开放创新平台 (OIP) 年度合作夥伴奖。该奖在表扬台积电 OIP 生态系合作夥伴，及其对下一代 3D 积体电路 (3D-IC) 设计和实现的创新贡献 |
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Power Integrations推1700V氮化??切换开关IC (2024.11.05)
Power Integrations推出其 InnoMux-2 系列的单级、独立稳压多路输出离线式电源供应器 IC 的新成员。新装置采用了业界首款透过该公司专有 PowiGaN 技术制造的 1700 V 氮化??切换开关 |
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国科会新增10项核心关键技术 强化太空、量子、半导体领域保护 (2024.11.03)
为强化国家核心关键技术保护，避免国家安全、产业竞争力及经济发展受损，国科会预告修正「国家核心关键技术项目及其技术主管机关」草案，新增10项太空、量子科技、半导体及能源领域之关键技术，预告期至11月15日止 |
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台欧携手 布拉格论剑 晶片创新技术论坛聚焦前瞻发展 (2024.10.31)
为促进台欧半导体技术合作，并因应全球半导体技术快速发展趋势，国家实验研究院台湾半导体研究中心（国研院半导体中心）於10月29日至31日，与比利时微电子研究中心（imec）及欧洲IC实作中心（Europractice）於捷克布拉格共同举办「台欧晶片创新技术论坛」 |
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豪威集团与飞利浦合作开发车内驾驶健康监测解决方案 (2024.10.30)
豪威集团和飞利浦在西班牙巴塞隆纳Palau de Congressos举行的AutoSens Europe展会上，联合展示全球首款车内连网健康监测解决方案的原型。
车内健康福祉系统能够即时监测生命徵象，如脉搏和呼吸频率 |
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(测试用)CT 11 (2024.10.29)
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Nexperia的AC/DC反激式控制器可实现更高功率密度 (2024.10.29)
控制器可提高电源效率并降低待机功耗
Nexperia推出一系列新AC/DC反激式控制器，扩展电源IC产品组合。NEX806/8xx和NEX8180x专为基於GaN的反激式转换器而设计，用於PD(Power Delivery)快速充电器、适配器、壁式??座、条形??座、工业电源和辅助电源等设备及其他需要高功率密度的AC/DC转换应用 |
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AI伺服器驱动PCB材料与技术革新 (2024.10.28)
目前台湾PCB产业除了积极转型智慧制造节能以减碳之外，还须善用2024年上半年仍受惠於AI需求带动出囗好转的契机，驱动AI伺服器供应链加工技术与材料革新开源，成为确保PCB产值能稳定成长的关键 |
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Bourns全新薄型高爬电距离隔离变压器适用於闸极驱动和高压电池管理系统 (2024.10.27)
美商柏恩Bourns推出新款符合AEC-Q200标准的车规级薄型、高爬电距离隔离变压器。Bourns HVMA03F4A-LP8S系列驰返变压器专为提供高功率密度设计，实现更高效能且具备紧凑的外形尺寸，适用於闸极驱动器和高压电池管理系统(BMS)等多项应用场合， |
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化合物半导体设备国产化 PIDA聚焦产业链发展 (2024.10.27)
为推动化合物半导体设备国产化，经济部产业署委托金属中心及光电协进会(PIDA)，於10月24日在台北南港展览馆举办「化合物半导体设备产业的前瞻未来」研讨会。
研讨会邀请稳唼材料、台湾钻石工业、蔚华科技、致茂电子及台湾彩光科技等业界专家 |
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德州仪器扩大氮化??半导体内部制造作业 将自有产能提升至四倍 (2024.10.25)
德州仪器 （TI） 已开始在日本会津的工厂生产氮化?? （GaN） 功率半导体。随着会津厂进入生产，加上位於德州达拉斯的现有GaN制造作业，TI 现针对GaN功率半导体的自有产能可增加至四倍之多 |
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PIDA矽光子异质整合研讨会 聚焦未来应用商机 (2024.10.24)
「矽光子异质整合技术应用商机研讨会」日前於台北世贸南港展览馆举行。本次研讨会由财团法人光电科技工业协进会 (PIDA)主办，邀请国际矽光子异质整合联盟(HiSPA)、台湾光电暨化合物半导体产业协会(TOSIA)、荷兰在台办事处等单位，以及产学专家，共同探讨矽光子异质整合技术在光通讯、光学感测和LiDAR等领域的应用前景 |
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诌：绿色回收与半导体科技的新未来 (2024.10.24)
诌的环保回收值得关注，特别是从电子废弃物中回收诌，提高回收率并降低成本，减少资源浪费降低环境负荷。此外，诌近来在半导体先进制程中扮演要角，无疑也是一个值得重视和推进的方向 |
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Ansys、台积电和微软合作 提升矽光子元件模拟分析速度达10倍 (2024.10.23)
Ansys 台积电和微软成功试验，大幅加速矽光子元件的模拟和分析。Ansys 与台积公司共同透过微软 Azure NC A100v4 系列虚拟机器，在 Azure AI 基础架构上执行的 NVIDIA 加速运算，将 Ansys Lumerical FDTD 光子模拟速度提升超过 10 倍 |
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Littelfuse推出首款用於SiC MOSFET栅极保护的非对称瞬态抑制二极体系列 (2024.10.22)
工业技术制造公司Littelfuse推出SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极体，为市场上首款非对称瞬态抑制解决方案，专为保护碳化矽（SiC）MOSFET栅极免受过压事件影响而设计 |
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Nexperia交流/直流反激式控制器IC可提高电源效率并降低待机功耗 (2024.10.17)
Nexperia推出一系列新的交流/直流反激式控制器，为扩展电源IC产品组合的最新成员。 NEX806/8xx和NEX8180x专为诸如供电（PD）充电器、适配器、墙壁??座、条形??座、工业电源和辅助电源以及其他需要高功率的AC/DC转换应用等设备中的以GaN为基础的反激式转换器而设计 |
