IGZO TFT (Indium Gallium Zinc Oxide氧化铟镓锌)为在TFT-LCD主动层上，打上1层金属氧化物。与传统a-Si(非晶硅)相比，IGZO可缩小晶体管尺寸，提高液晶面板画素的开口率，分辨率倍增，并拥有10倍电子迁移率。此外，IGZO不必如LTPS TFT一样需要复杂的雷射退火制程与高昂的光罩成本，同时可沿用旧有传统a-Si TFT制程设备，因此被业界看好将成为未来高分辨率中小尺寸液晶面板，甚至高阶大尺寸面板的趋势。本次课程将针对IGZO面板技术及专利作深入的探讨并介绍其最新发展，期望能提升台湾厂商在未来IGZO TFT技术的竞争力。

09:30-10:50

2012全球面板产业趋势与IGZO应用发展

友达光电 石宗祥 副理(邀请中)

10:50-11:00

休息时间

11:00-12:20

Oxide TFT的关键专利分析与技术

金属工业研究发展中心 翁敏航 副组长

12:20-13:30

午餐

13:30-16:30

平面显示器用IGZO的最新技术

1.前言

2.IGZO用真空溅镀装置

3.IGZO靶材(Target)

4.实验数据

5.总结

（株）ULVAC千叶超材料研究所

第1研究部第3研究室

仓田 敬臣 室长

※现场备有日文实时口译※

【注意事项】：

1.主办单位得因不可抗拒因素，保留调整课程内容之权利

2.为尊重讲师之知识产权益，恕无法提供课程电子档

※主办单位：社团法人台湾电子设备协会(TEEIA)

※协办单位：初芝科技股份有限公司

※举办时间：101年10月24日(三) 09:30~16:30

※举办地点：集思竹科会议中心(新竹科学园区工业东二路一号)

※报名费用：非会员3,500元/人(费用皆含税及讲义，请勿另扣除邮资及汇兑手续费)，凡于10/24前报名并缴费完成者，享3,000元/人。TEEIA会员厂商2,800元/人。

※本案联络人：TEEIA蔡宗佑先生 TEL:02-27293933 FAX：02-27293950

e-mail：registration@teeia.org.tw