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革新闪存迈出下一步 (2008.11.05)
市场对于主流非挥发性内存、特别是NAND Flash独立储存应用仍有广大需求动能，短期内市场对NAND Flash及SSD的发展规模渐趋保守，长期发展前景仍旧维持审慎乐观。NAND Flash在奈米微缩可扩充能力（Scalability）、储存覆写次数耐久性（Endurance）和数据保存能力（Data Retention）的局限，使其面临技术上和经济上必须革新的关键 |
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IBM试图创作全新的通用型内存 (2007.10.25)
一个全新奈米线（nanowires）等级的内存装置，在今年10月初由IBM研究人员做出了初步的成果，它能整合当今种种内存最好的质量技术于一身，而且还能降低生产成本与改善质量 |
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美国宾州大学完成高密度FeRAM技术研究成果 (2007.10.24)
美国宾夕法尼亚大学结合化学以及机械工程的教授团队，近期在奈米多尺度力学领域的研究有了重要的突破。10月中他们宣布完成了铁电域壁（domain walls，亦称畴壁）的多尺度模型（multi-scale modeling），并提出新的铁电域壁移动理论，他们发现藉由可滑移的壁，能够分隔铁电域壁的扇区，藉由这项技术将可实现高密度的铁电内存 |
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SONY与Canon合作研发容量4.7GB之光盘技术 (2004.05.26)
今年1月SONY发表了容量达1GB的「Hi-MD」规格后，近日则与Canon合作，以「DWDD（Domain Wall Displacement Detection）」扇区扩大再生技术，成功研发储存容量达到4.7GB，大小与一张MD相当的光盘片 |
