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ROHM推出4款工业电源适用SOP封装通用AC-DC控制器IC (2024.09.10)
ROHM推出PWM控制方式FET外接型通用控制器IC，非常适用於工业设备的AC-DC电源。目前已有支援多种功率电晶体共4款新产品投入量产，包括低耐压MOSFET驱动用「BD28C55FJ-LB」、中高耐压MOSFET驱动用「BD28C54FJ-LB」、IGBT驱动用「BD28C57LFJ-LB」以及SiC MOSFET驱动用「BD28C57HFJ-LB」 |
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ASML助制造商简化工序、提高产能 盼2025年降每片晶圆用电30~35% (2024.09.06)
因AI人工智慧驱动半导体需求，全球晶片微影技术领导厂商艾司摩尔（ASML）今（6）日於SEMICON Taiwan 分享新一代高数值孔径极紫外光（High NA EUV）微影技术，并表示将协助晶片制造商简化制造工序、提高产能，并降低每片晶圆生产的能耗 |
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imec执行长：全球合作是半导体成功的关键 (2024.09.03)
imec今日於SEMICON Taiwan 2024前夕举办ITF Taiwan 2024技术论坛，以「40年半导体创新经验与AI的大跃进」为主题，欢厌imec成立40周年，并展示其在推动半导体产业发展的关键成就与行动 |
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纬湃采用英飞凌CoolGaN电晶体打造高功率密度DC-DC转换器 (2024.09.03)
在电动汽车和混合动力汽车中，少不了用於连接高电压电池和低电压辅助电路的DC-DC转换器，而它对於开发更多具有低压功能的经济节能车型也很重要。由TechInsights的资料显示，2023年全球汽车DC-DC转换器的市场规模为40亿美元，预计到2030年将增长至110亿美元，预测期内的复合年增长率为15% |
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SEMICON Taiwan开展倒数 AI与车电将助半导体产值破兆元 (2024.08.28)
全球半导体产业显着增长，SEMI预测至2030年底市场规模将达1兆美元。今年SEMICON Taiwan 2024国际半导体展，也以「Breaking Limits : Powering the AI Era. 赋能AI无极限」为主题，将於9月4日正式开幕并扩大规模，首次以双主场形式推出「AI半导体技术概念区」、「AI互动体验区」，以及多场国际级论坛展示最新人工智慧（AI）技术 |
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为绿氢制造确保高效率且稳定的直流电流 (2024.08.27)
本文探讨绿氢的原理，并且展示如何运用功率组件，将环保能源的输入转换为具有产生绿氢所需特性的稳定电力输出。 |
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跨过半导体极限高墙 奈米片推动摩尔定律发展 (2024.08.21)
奈米片技术在推动摩尔定律的进一步发展中扮演着关键角色。
尽管面临图案化与蚀刻、热处理、材料选择和短通道效应等挑战，
然而，透过先进的技术和创新，这些挑战正在逐步被克服 |
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英特尔晶圆代工达新里程 2025年将进行次世代客户端及伺服器晶片生产 (2024.08.07)
英特尔宣布基於Intel 18A制程的AI PC客户端处理器Panther Lake和伺服器处理器Clearwater Forest已经完成制造并成功通电、启动作业系统。英特尔在流片後两个季度内达成这项里程碑，两款产品将按计划於2025年开始量产 |
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imec矽基量子位元创下最低电荷杂讯 成功导入12寸CMOS制程 (2024.08.04)
比利时微电子研究中心（imec）展示高品质的12寸晶圆矽基量子点自旋量子加工技术，元件在1Hz频率下的平均电荷杂讯为0.6μeV/OHz，且数值达到统计显着性。就杂讯表现而言，这些数值是目前在12寸晶圆相容制程中所取得的最低杂讯值 |
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M31与高塔半导体合作 开发65奈米SRAM和ROM记忆体 (2024.08.04)
M31 Technology宣布与高塔半导体（Tower Semiconductor）合作，成功开发65奈米制程的SRAM（静态随机存取记忆体）和ROM（唯读记忆体）IP产品，并将设计模组交付客户端完成验证，搭配此平台的低功耗元件Analog FET（类比场效电晶体）所设计的电路架构，能够满足SoC晶片严格的低功耗要求 |
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开启HVAC高效、静音、节能的新时代 (2024.08.01)
文:本次要介绍的产品，是来自德州仪器（TI）一款业界首创的650V三相智慧功率模组（Intelligent Power Module；IPM）━「DRV7308」，适用於250W马达驱动器应用。 |
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TPCA：AI带动IC载板重返成长 2024年全球市场将达153.2亿美元 (2024.07.11)
基於现今电动车、AI和高速运算等新兴应用推动下，半导体产业正处於蓬勃发展阶段。其中对於封装至关重要的IC载板也备受关注。然而，2023年受到全球通膨影响，消费性市场急速降温，无论是应用於手机和记忆体的BT载板，或是CPU和GPU的ABF载板，都同步出现下滑 |
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英飞凌新一代CoolGaN电晶体系列采用8 寸晶圆制程 (2024.07.11)
根据Yole Group预测，氮化??（GaN）市场在未来五年内的年复合成长率将以46%成长。英飞凌科技推出两款新一代高电压（HV）与中电压（MV）CoolGaN产品，让客户可以在更广泛的应用领域中，采用 40 V 至 700 V 电压等级的GaN装置，推动数位化与低碳化进程 |
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应材发表新晶片布线技术 实现AI更节能运算 (2024.07.09)
基於现今人工智慧（AI）时代需要更节能的运算，尤其是在晶片布线和堆叠方式对於效能和能耗至关重要。应用材料公司今（9）日於美国SEMICON WEST 2024展会，发表两项新材料工程创新技术，旨在将铜互联电网布线微缩到2奈米及以下的逻辑节点，以协助晶片制造商扩展到埃米时代，来提高电脑系统的每瓦效能 |
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英飞凌CoolSiC MOSFET 400 V重新定义 AI 伺服器电源功效 (2024.06.26)
随着人工智慧（AI）处理器对功率的要求日益提高，伺服器电源（PSU）必须在不超出伺服器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率，因为高阶 GPU 的能源需求激增。至2030 年，每颗高阶 GPU 晶片的能耗可能达到 2千瓦或以上 |
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ROHM超小型CMOS运算放大器适用於智慧手机和小型物联网应用 (2024.06.24)
智慧型手机和物联网终端设备越来越趋向小型化，所搭载的元件也随之变小。另一方面，若要提高应用产品的控制能力，需要高精度放大感测器的微小讯号，并在该前提下实现小型化 |
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imec展示单片式CFET功能元件 成功垂直堆叠金属接点 (2024.06.21)
於本周举行的2024年IEEE国际超大型积体电路技术研讨会（VLSI Symposium）上，比利时微电子研究中心（imec）首次展示了具备电性功能的CMOS互补式场效电晶体（CFET）元件，该元件包含采用垂直堆叠技术形成的底层与顶层源极／汲极金属接点（contact） |
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FlexEnable柔性显示技术创新产品目前已出货 (2024.06.18)
开发和生产用於有源光学和显示器的柔性有机电子产品供应商FlexEnable宣布，全球首款采用有机电晶体技术的量产消费电子产品已开始出货。这款名为Ledger Stax的装置是由法国市场领导者Ledger 开发的安全加密钱包 |
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Littelfuse新款低侧栅极驱动器适用於SiC MOSFET和高功率IGBT (2024.06.13)
Littelfuse公司推出低侧SiC MOSFET和IGBT闸极驱动器IX4352NE，这款创新的驱动器专门设计用於驱动工业应用中的碳化矽（SiC）MOSFET和高功率绝缘栅双极电晶体（IGBT）。IX4352NE的主要优势在於其独立的9A拉/灌电流输出，支援量身定制的导通和关断时序，同时将开关损耗降至最低 |
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生成式AI助功率密集的计算应用进化 (2024.06.13)
业界需要一种新的供电架构来控制生成式AI训练模型的能源消耗 |
