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Littelfuse推出新款萧特基势垒整流器 (2017.07.26)
结合超低正向电压降、高电流处理能力与紧凑结构
Littelfuse公司今日宣布推出萧特基势垒整流器系列。该系列产品的性能优於商业、工业和和汽车应用中的传统开关二极体 |
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Diodes推出针对固态MR16 LED改造灯优化的超势垒整流器 (2016.07.13)
Diodes 公司推出经过最佳化的SBRT3M40P1沟槽超势垒整流器（SBR）产品，在小外形尺寸封装中提供低正向电压降，同时保持低反向漏电流，满足了聚焦于12V AC LED改造灯的固态照明（SSL）应用对输入桥整流器的需求 |
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Littelfuse推出超低正向压降肖特基势垒整流器 (2016.03.17)
力特公司（Littelfuse）的功率半导体产品组合再添新成员—专为超低正向压降（VF）设计的矽肖特基器件。
DST系列肖特基势垒整流器非常适用于高频应用（如开关式电源）以及直流应用（如太阳能电池板旁路二极体和极性保护二极体），其设计目的是为了满足商业和工业应用的要求 |
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Littelfuse新型功率半导体适用于高频开关式电源和直流-直流转换器应用 (2016.03.15)
力特公司（Littelfuse）在其不断壮大的功率半导体产品中又增加两个系列：MBR系列肖特基势垒整流器（标准肖特基）是基于矽肖特基二极体技术的最新器件；DUR系列超快整流器可带来超快的开关速度 |
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Diodes新款沟槽型超级势垒整流器提供高效率 (2016.01.26)
Diodes公司新推出的两款40A整流器SBRTF40U100CT及SBRTF40U100CTFP采用专利的沟槽型超级势垒整流(Trench SBR) 技术，能够大幅降低功耗以及操作温度。新产品可作为输出整流器，适用于智慧型手机、平板电脑及平板电视的电源适配器和快速充电器，有效提升高达2%的效率，并同时降低多达摄氏10度的操作温度 |
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Diodes沟槽型超级势垒整流器提高新一代充电器效率 (2014.12.12)
Diodes公司全新推出两款采用旗下专利沟槽型超级势垒整流（Trench SBR）技术的组件SBRT15U50SP5及SBRT20U50SLP，能够实现下一代电池充电器对效率和温度的严格需求。
两款全新沟槽型超级势垒整流器具有极低的正向电压、低漏电流 |
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Diodes势垒整流器可缩小充电器尺寸 (2013.05.13)
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出15A电流额定值的SBR15U50SP5超级势垒整流器 (Super Barrier Rectifier，简称SBR)，以满足新一代智能型手机及平板计算机充电器的需求。该微型超级势垒整流器通过了低正向电压和低反向漏电流的特性测试，能够承受超薄不连续模式返驰式充电器 (Discontinuous mode flyback charger) 在设计上更高的电流脉冲和操作温度 |
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NXP针对行动设备推出高效能低VF肖特基整流器 (2012.04.22)
恩智浦半导体(NXP)近日推出，采用1.0 x 0.6 x 0.37-mm超小扁平SMD塑料封装DFN1006D-2 (SOD882D)、效能最高的肖特基整流器。此款20-V、0.5-A PMEG2005BELD肖特基势垒整流器是目前市场上尺寸最小的产品，在0.5-A正向电流下的最大正向电压为390 mV，可显著提升电池寿命和性能 |
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恩智浦半导体最高支持1.5A的0.37mm超平封装肖特基整流器 (2012.03.02)
恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ：NXPI) 近日宣布推出针对行动设备市场的新一代低VF肖特基整流器，为微型化发展树立新的重要基准。新款DFN1608D-2 (SOD1608) 塑料封装典型厚度仅有0.37 mm，尺寸为1.6 x 0.8 mm，是市场上支持最高1.5A电流的最小组件 |
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Diodes薄型整流器应用于太阳能电池板设计 (2011.11.17)
Diodes日前推出额定电流为12A的SBR12U45LH超级势垒整流器（SBR），以超薄型PowerDI-5SP封装，为生产新一代太阳光电模块（PV module）的太阳能电池板制造商，解决设计和生产方面的主要问题 |
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Diodes推出额定电流超级势垒整流器 (2011.11.16)
Diodes近日推出，额定电流为12A的SBR12U45LH超级势垒整流器（SBR），以超薄型PowerDI-5SP封装，为生产新一代太阳光电模块（PV module）的太阳能电池板制造商，解决设计和生产方面的主要问题 |
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Diodes推出针对汽车应用的超级势垒整流器系列 (2011.07.06)
Diodes公司于近日宣布，推出首款针对汽车应用的「超级势垒整流器（SBR）」系列。相较于同类型的Schottky或超快二极管，该系列组件拥有更佳的雪崩额定值，更低的正向电压降以及更高的安全操作区（SOA） |
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Diodes新型封装组件 节省PCB空间增强充电器效能 (2009.05.19)
Diodes推出采用高热效、超威型DFN封装的新型双组件组合，适用于可携式设备的充电和开关应用。
Diodes亚太区技术市场总监梁后权指出，最新DMS2220LFDB及DMS2120LFWB组件把一个20V的P信道增强型MOSFET与一个相伴的二极管结合封装，提供2 x 2毫米的DFN2020格式和3 x 2毫米的DFN3020格式 |
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Diodes推出新型高压超级势垒整流器组件 (2009.05.13)
Diodes公司推出了新型高压超级势垒整流器 (SBR) 系列中的第一款组件SBR10U200P5。该系列采用专利且高热效和小巧的PowerDI5封装，具有完善的低热阻效能，使SBR10U200P5能够以比原本小40%的PCB面积实现双倍的功率密度 |
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Vishay推出具0.375V最低正向压降的肖特基势垒整流器 (2005.12.22)
Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出业界首款基于Trench MOS技术的肖特基势垒整流器。这五款新型TMBS.器件可在开关模式电源中作为整流电路或OR-ing 二极管，或可替代同步整流解决方案，它们在同类型封装的肖特基二极管中具有最低的正向压降 |
