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英特爾於2026 VLS發表18A-P製程與GaN+Si數位電源技術 (2026.06.19)
英特爾（Intel）在夏威夷舉辦的「2026年VLSI技術與電路研討會上，首度公開其最新「Intel 18A-P」製程的關鍵進展，並在現場成功展示了全球首創的 300mm晶圓級氮化鎵與矽邏輯晶片（GaN+Si）單片整合技術
英飛凌首款碳化矽功率模組可在205℃運作 針對電動汽車逆變器設計 (2026.06.18)
英飛凌科技在電動汽車逆變器功率模組領域完成一個新的里程碑：HybridPACK Drive 系列正式推出全新 1300 V 碳化矽（SiC）模組，該模組能夠在高達 205℃的溫度下持續運行。市面上現有的同類設計通常最高僅允許在 175℃ 下運行
英特爾於2026 VLSI發表18A-P製程與GaN+Si數位電源技術 (2026.06.17)
英特爾（Intel）日前在夏威夷舉辦的「2026年VLSI技術與電路研討會上，首度公開其最新「Intel 18A-P」製程的關鍵進展，並在現場成功展示了全球首創的 300mm晶圓級氮化鎵與矽邏輯晶片（GaN+Si）單片整合技術
GaN與SiC如何解開AI能源封印？ (2026.06.10)
在AI這個由矽晶片與光纖交織成的虛擬未來裡，人類文明的瘋狂演進，最終依賴的依然是我們管理電子的能力。每一分轉換效率的提升，每一微秒的故障隔離，背後都是無數工程師與半導體材料的生死搏鬥
ROHM SiC MOSFET應用於HVDC化加速發展的AI伺服器電源BBU (2026.06.09)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）的750V耐壓SiC MOSFET已被應用於AI伺服器電源BBU（備用電池單元）中。隨著生成式AI的普及，AI伺服器電源正加速朝向更高壓及HVDC（高壓直流供電）架構演進，在此背景下，ROHM的SiC MOSFET產品被選定為支援次世代電源系統的SiC功率元件
MIT成功以單晶片鑽石薄膜大幅提升GaN晶體管散熱效能 (2026.06.09)
隨著6G通訊技術與衛星通訊硬體向更高頻段、高功率方向演進，次世代半導體元件的熱管理正逼近物理極限。麻省理工學院（MIT）研究團隊日前發表一項技術突破，成功在氮化鎵（GaN）高功率晶體管頂部，成功生長出超薄的「單晶鑽石」薄膜層
SpaceX IPO帶動衛星產值2027年達4,470億美元 台廠可搶攻通訊與運算商機 (2026.06.08)
適逢SpaceX推進IPO動向備受市場關注，除了持續擴大衛星寬頻服務版圖外，亦積極布局手機直連衛星、AI太空運算及太空太陽能（Space-Based Solar Power, SBSP）等新興領域，甚至透過擴建自有太空AI運算晶片廠Terafab，強化垂直整合能力，推動低軌衛星產業由通訊服務邁向運算服務新階段
12V極限與48V革命的必然性 (2026.06.08)
AI功耗大爆炸。這是一場人類在追求極致智慧的道路上，與物理學、材料學進行的正面遭遇戰。
Power Integrations超薄型PSU設計 適用於800VDC AI資料中心 (2026.06.01)
在COMPUTEX 2026前夕，高壓能效電源轉換整合晶片商Power Integrations今（1）日推出兩款專為800VDC AI資料中心打造的新款超薄緊湊型輔助電源供應器（PSU）參考設計，首度採用高度整合、耐1700V額定電壓的PowiGaN單一HEMT IC，強調可節省空間、簡化系統架構、提升可靠性並減少BOM零件數，實現最高達88%效率
解鎖 AI 協作機櫃 宏正亮相 COMPUTEX (2026.05.29)
受惠於全球AI需求持續暢旺、資本支出與消費成長回溫，宏正自動科技近日揭曉財務表現，於今年1~4月累計合併營收達17.33 億元，獲亞洲市場挹注成長動能，更創下4月單月歷史新高
專為可攜式電源而設計： 英飛凌CoolGaN BDS 40 V G3系列可縮減82%的占板面積 (2026.05.28)
全球電源系統和物聯網領域半導體領導者英飛凌科技股份有限公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）進一步擴展了其CoolGaN BDS 40 V G3雙向開關（BDS）系列，推出了兩款新產品：IGK048B041S和IGK120B041S
2026.6月第415期AI時代關鍵驅動力48V (2026.05.20)
當一顆AI晶片的功耗衝破千瓦（Watt），當一座資料中心的耗電量足以供應一座中型城市，傳統的電力架構已然崩解。這不再只是「插上插頭」那麼簡單。 這是一場關於48V電壓轉型、液冷整合與極限能源效率的革命
德州儀器：AI算力物理限制已到 800V高壓直流供電成唯一解方 (2026.05.19)
德州儀器（TI）美國總部算力技術專家 Pradeep S. Shenoy 在受訪時直言，AI 晶片對電力的索求正以驚人的幾何級數飆升。
英飛凌半導體技術在Artemis II太空任務中展現可靠性 (2026.04.16)
美國太空總署 (NASA) 的阿提米絲二號 (Artemis II) 任務在完成為期十天的太空飛行後成功返回地球。此次任務中不僅完成繞月飛行，還創下了載人太空船距離地球最遠的飛行紀錄
先進製造佈局 半導體與工具機的共生演進 (2026.04.08)
隨著2026年生成式AI正式由雲端大模型（Cloud AI）轉向更具即時性、隱私性的地端代理人（Agent AI）與物理人工智慧（Physical AI），全球對於算力的定義正在發生質變。
力積電攜手法國CEA機構 打造整合RISC-V與矽光子3D堆疊AI晶片 (2026.04.05)
力積電（PSMC）宣佈，將與法國原子能署（CEA）旗下兩大研究機構CEA-Leti與CEA-List展開戰略合作。雙方將結合RISC-V架構與Micro LED矽光子技術，導入力積電現有的3D堆疊與中介層（Interposer）平台，為次世代AI系統提供具備高頻寬通訊與高效能運算的解決方案
力積電攜手法國CEA機構 打造整合RISC-V與矽光子3D堆疊AI晶片 (2026.04.05)
力積電（PSMC）宣佈，將與法國原子能署（CEA）旗下兩大研究機構CEA-Leti與CEA-List展開戰略合作。雙方將結合RISC-V架構與Micro LED矽光子技術，導入力積電現有的3D堆疊與中介層（Interposer）平台，為次世代AI系統提供具備高頻寬通訊與高效能運算的解決方案
英飛凌推出超低雜訊XENSIV TLE4978混合式霍爾與線圈電流感測器， 為新一代電力系統提供助力 (2026.04.02)
全球電源系統和物聯網領域半導體領導者英飛凌科技股份有限公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出TLE4978系列無芯隔離式磁電流感測器，進一步擴展其XENSIV感測器產品組合
英飛凌推出超低雜訊XENSIV TLE4978混合式霍爾與線圈電流感測器， 為新一代電力系統提供助力 (2026.04.02)
全球電源系統和物聯網領域半導體領導者英飛凌科技股份有限公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出TLE4978系列無芯隔離式磁電流感測器，進一步擴展其XENSIV感測器產品組合
Aledia全球首款9V microLED正式商用量產 推動消費性市場發展 (2026.04.01)
microLED方案商Aledia今日宣布，全球首款支援9V操作電壓的FlexiNOVA microLED（FN1530F9）正式投入商業量產供貨。 FlexiNOVA產品採用Aledia專利的氮化鎵奈米線矽基板（GaN Nanowire-on-Silicon）技術，在200mm矽晶圓上製造而成


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