英特爾於2026 VLSI發表18A-P製程與GaN+Si數位電源技術

英特爾（Intel）日前在夏威夷舉辦的「2026年VLSI技術與電路研討會上，首度公開其最新「Intel 18A-P」製程的關鍵進展，並在現場成功展示了全球首創的 300mm晶圓級氮化鎵與矽邏輯晶片（GaN+Si）單片整合技術。

此項技術利用異質材料的深度融合，打破了傳統矽基晶片在高壓電源管理上的物理極限。英特爾Foundry團隊成功在標準300mm矽晶圓上，將高效能的氮化鎵（GaN）功率元件與包含約1,000個邏輯閘的矽數位控制方塊（Digital control block）進行單片一體化整合（Monolithic integration）。

相較於傳統外接式電源模組，這項突破能讓AI晶片在單一硬體架構內實現極致高效、大規模的數位電源控制，大幅降低系統能耗。此外，最新的18A-P製程更導入「Power Boost」雙接觸低電阻電晶體設計，在同等功耗下使運算效能提升9%，並利用材料與結構創新將晶片熱阻大幅降低了20%至40%，徹底解決了先進製程的散熱降頻痛點。
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