功率電晶體市場技術領導者ST，發佈一系列混合式射極開關雙極電晶體（EBST），特別適合工業照明應用中之功率因數預調節的工業用三相輔助電源供應器與單端初級電感轉換器（SEPIC）等應用。透過結合業界最佳的低前向壓降、高阻斷電壓（blocking voltage）與快速開關速率，新的ESBT系列在高電壓、高開關頻率應用中展現了突破性的效能。

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新的ESBT系列為電源供應器設計人員解決了選擇雙極接面電晶體（BJT）或MOSFET的困境；BJT的特性是具有低傳導損耗，但開關速度慢；而MOSFET的開關速度快，但傳導損耗較高。透過在單一封裝中，運用串聯結構結合BJT與MOSFET，新元件能保留兩種方法的優勢，同時消除它們的不利條件，這意味著當開關頻率高於130kHz時，其傳導損耗能與其他單一BJT元件媲美，同時可實現在硬體（無需減震器）開關條件下操作，由於該元件的串聯結構與專用的雙極技術可提供方形反向偏壓安全操作區域，因此新元件能以極安全方式運作。

新元件的其他優勢還包括高達1.7kV的電壓能力，能讓設計人員工作在更高的反馳電壓，因此也具有更高的工作週期。這項特性將讓電源供應器能處理更大的功率，或在更寬廣的輸入電壓範圍內操作。

新元件現有STC03DE170、STC05DE150與STC08DE150等型號，擊穿電壓（breakdown voltages）分別為1.7kV、1.5kV與1.5kV，導通電阻分別為0.55、0.17、0.11歐姆。相較之下，標準1,500V功率MOSFET的導通電阻通常為5~9歐姆。三款元件的Vcs（sat）值為0.9V，傳導損耗均降至最低，而沒有末端電流（tail current）則能最小化關斷損耗。因此，新的ESBT系列將能在30W到150W的電源供應器應用中實現更低溫、更可靠的應用。