鰭式場效電晶體的出現對積體電路物理設計及可測性設計流程具有重大影響。鰭式場效電晶體的引進意味著在積體電路設計製程中互補金屬氧化物（CMOS）電晶體必須被建模成三維（3D）的元件，這包含了各種複雜性和不確定性。加州大學伯克萊分校元件組的BSIM組開發出了一個模型，被稱作BSIM-CMG （common multi-gate）模型，來代表存在鰭式場效電晶體的電阻和電容。晶圓代工廠竭力提供精準元件及寄生資料，同時也致力於保留先前製程所採用的使用模型。

寄生提取挑戰

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