国际整流器公司 (IR) 宣布成功开发革命性氮化镓 (GaN) 功率组件技术平台，能为客户改进主要特定应用的优值 (FOM) ，使其较先进硅技术平台提升最多十分之一 ，让客户在适用于运算及通讯、汽车和家电等不同市场的终端应用能够显著提升效能，并减少能源消耗。这款GaN功率组件技术平台，是IR经过5年的时间，基于其专有硅上GaN磊晶技术进行开发研究的成果。

IR的GaN功率组件技术平台为功率转换解决方案带来革命性的改进。这项研究因有效引进IR 60年来在不同应用，包括AC-DC功率转换、DC-DC功率转换、马达驱动、照明、高密度音效与汽车系统等功率转换方面的专业知识，使系统方案产品阵营和相关的智能财产 (IP) 远超出先进的分立功率组件。

这款高吞吐量的150mm硅上GaN磊晶和相关的组件制造程序，能全面与IR具备成本效益的硅制造设施配合，为客户提供世界级的商业可行性GaN功率组件制造平台。

IR总裁及CEO Oleg Khaykin表示：这种尖端的GaN技术平台和IP阵营，延续了IR于功率半导体组件的领导地位，并且引领功率转换进入新时代。这种发展正好与我们致力协助客户节省能源的核心使命一脉相承。我们相信这款新组件技术平台将会深深影响功率转换市场，就如30多年前IR推出功率HEXFET时一样。

IR将会于2008年11月11至14日在德国慕尼黑举行的Electronica展览会上，向OEM客户展示数款崭新GaN产品平台的原型。