UnitedSiC推出一系列適用於與具備內建低壓MOSFET的控制器IC共同封裝的SiC JFET晶片，可製造出速度快，基於疊接的20W至100W返馳式產品。這些常導通式SiC JFET的操作電壓範圍為650V至1700V，可幫助實現簡化的啟動方案，具有零待機功耗。

SiC JFET在應對重複的雪崩和短路時具備強大能力，因此SiC疊接在實用中非常牢固。SiC JFET與控制IC中的LV MOSFET串列連接，常導通式JFET的源極電壓在JFET關斷之前升至12V，IC開始切換。透過JFET的電流路徑可以用作控制器IC之啟動電源。在轉換器開始運作後，來自轉換器變壓器的輔助電源被閘控（gated-in），沒有進一步的功率損耗。

UnitedSiC執行長Chris Dries表示：「伴隨這些新型SiC JFET的推出，UnitedSiC現在已經位居業內擁有最廣泛SiC功率產品組合廠商之列，我們能夠透過晶片和離散封裝形式來提供高性能JFET功能。」