美高森美公司(Microsemi Corporation) 發佈專門用於高電流、低導通阻抗(RDSon) 碳化矽 (SiC) MOSFET功率模組的極低電感封裝。

美高森美推出專門用於SiC MOSFET的極低電感SP6LI封裝，實現高電流、高開關頻率和高效率。

這款全新封裝專為用於其SP6LI 產品系列而開發，提供適用於SiC MOSFET技術的2.9 nH雜散電感，同時實現高電流、高開關頻率以及高效率。美高森美將在德國紐倫堡展覽中心舉行的PCIM 歐洲電力電子展上展示使用新封裝的SP6LI功率模組，以及其他現有產品系列中的SiC功率模組產品。

美高森美繼續擴展其SiC解決方案的開發工作，已經成為向市場提供一系列Si/ SiC功率離散式和模組解決方案的少數供應商之一。

美高森美的SP6LI產品系列採用專為高電流SiC MOSFET功率模組而設計的最低雜散電感封裝之一，具有五種標準模組，在外殼溫度(Tc)為80°C的情況下，提供從1200 V、210A至586 A；以及Tc同為80°C的情況下達到1700 V、207 A的相臂拓撲。這種新型封裝具有更高的功率密度和緊湊的外形尺寸，可以使用較少數量的並聯模組來實現完整的系統，協助客戶進一步縮小設備尺寸。

美高森美的SP6LI功率模組可以用於多種工業、汽車、醫療、航太和國防應用領域的開關模式電源和馬達控制，應用例子包括電動車/混合動力車(EV/HEV)動力傳送和動能回收系統、飛機作動器系統、發電系統、開關模式電源，用於電感加熱、醫療電源和列車電氣化等應用的開關模式電源、光伏(PV)/太陽能/風能轉換器 和不斷電供應系統。

美高森美副總裁兼功率離散器件和模組業務部門經理Leon Gross表示：「我們的極低雜散電感標準SP6LI封裝非常適合為用於高開關頻率、高電流和高效率應用的SiC MOSFET器件改善性能，提供更小尺寸的電源系統解決方案以協助客戶大幅降低設備需求。我們的低電感封裝具有出色的開關特性，使客戶能夠開發更高性能的高可靠性系統，協助他們從競爭中脫穎而出。」

市場研究機構Technavio指出，用於全球半導體應用的SiC市場預計在二○二一年前達到大約5.405億美元，年複合增長率(CAGR)超過百分之十八。此外，IHS Markit的研究表明，預計SiC MOSFET器件到二○二五年將產生超過三億美元營收，幾乎達到蕭特基二極體的水準，成為第二大暢銷SiC離散式功率器件類型。

美高森美的SP6LI電源模組採用由SiC功率MOSFET和SiC蕭特基二極體構成的相臂拓撲，每個開關具有低至2.1 mOhms 的極低RDSon，並提供用於溫度監控的內部熱敏電阻和用於訊號和電源連接的旋入式端子，以及用於改善熱性能的隔熱和高導熱性基板(氮化鋁作為標準，氮化矽作為選件)。此外，標準銅底板可替換為鋁碳化矽(AlSiC)材料選件以實現更高的功率迴圈能力。