半導體製造與晶圓級封裝設備供應商盛美半導體設備今日宣佈，為其300mm Ultra Fn立式爐幹法製程設備產品系列，增加了更多的先進半導體製程，包含非摻雜的多晶矽沉積、摻雜的多晶矽沉積、柵極氧化物沉積、高溫氧化和高溫退火。

盛美半導體設備可靈活配置的爐管製程系統拓展了非摻雜和摻雜多晶矽LPCVD、高溫氧化和退火功能；公司已收到多台立式爐設備訂單

盛美先前已發佈了應用於氧化物、氮化矽（SiN）低壓化學氣相沉積（LPCVD）和合金退火製程功能的立式爐系統。現在，基於該可配置的立式爐平臺，盛美開發了更多的新功能。支援這些新應用的立式爐設備現已交付或預計陸續於2021年上半年內交付到用戶端。

盛美半導體設備董事長王暉表示：「我們的戰略始終是找到半導體製造行業中具有高增長潛力的市場和應用，並且與我們的客戶合作，開發出先進技術來解決這些問題。現在，我們能夠進行80％以上的批式熱製程，包括用於SiN、HTO的LPCVD製程，非摻雜多晶矽和摻雜多晶矽沉積，柵極氧化物沉積製程，高達1200攝氏度的超高溫氧化和退火製程。這一新產品線的迅速導入，也進一步證明了我們與核心客戶合作戰略的成功。」

隨著半導體器件體積的不斷縮小和複雜度的增加，Ultra Fn系統的設計始終為了尋求滿足客戶需求的最佳解決方案。當今的器件設計的高複雜度、微小幾何尺寸，對熱製程的溫度控制的均一性與穩定性提出了高要求，這對晶圓良率至關重要。為了滿足這些要求，Ultra Fn加熱器開發了獨有的控制演算法，使該平臺具有穩定的溫度控制性能。

盛美對其可靈活配置的Ultra Fn設備進行了功能擴展，僅對部分模組和佈局進行了一些更改即可適用於這些新製程應用。該可配置的系統設計，與盛美現有的氧化物、氮化物沉積系統大部分硬體可通用，從而降低了總成本。該系統可便捷地更換元件，以實現不同客戶的定制化製程需求。

盛美的第一台SiN LPCVD已於2020年初交付給一家重要的邏輯製造客戶，並在該工廠進行了大規模量產驗證。同時，另一台微托級超高真空功能的合金退火製程立式爐設備已於2020年底交付給一家功率器件製造客戶，並已完成生產能力的驗證。

此次發佈的其他新功能的設備陸續開始在用戶端進行測試，預計在2021年內取得驗證結果。