账号:
密码:
最新动态
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
快捷半导体推出互补型40V MOSFET
 

【CTIMES/SmartAuto 劉筱萍报导】   2007年05月15日 星期二

浏览人次:【3518】

快捷半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出互补型40V MOSFET器件FDD8424H,它采用双DPAK封装,可提供业界领先的散热能力,有助于提高系统可靠性、缩减电路板空间及降低系统的整体成本。FDD8424H是专为半桥和全桥逆变器设计而优化的,是液晶电视、液晶显示器、马达驱动和电灯驱动所用背光单元(BLU)的理想选择。与采用8引脚和双SOIC(SO8)封装的替代解决方案相比,双DPAK封装FDD8424H的热阻抗分别是其的五分之一及十分之一。此外,FDD8424H还在单一封装中整合了一个P沟道高侧MOSFET和一个N沟道低侧MOSFET,因而可以在器件内有共漏连接(common drain connection),并能简化电路板布局及缩短设计时间。

互补型40V MOSFET
互补型40V MOSFET

快捷半导体通信和消费产品营销经理Mike Speed表示:“快捷半导体的FDD8424H使得显示器设计人员能够对逆变器设计的占用面积和热性能进行优化。与传统的SO8封装解决方案相比较,双DPAK封装中的导通阻抗RDS(ON)和栅极电荷(Qg)优化增强了开关性能,因此能降低热耗散及提高效率。而且,在驱动8个CCFL灯的背光逆变器中,FDD8424H可使外壳温度降低12%。”

關鍵字: 快捷半导体 
相关产品
快捷半导体推出业界首款安全数据双埠多任务器
Fairchild新串行/解串器支持内建相机的可携式产品
快捷推出200V/250V Powertrench MOSFET
快捷HDMITM多媒体开关获厦华电子选用
快捷发表突破性µSerDes串化器/解串化器技术
  相关新闻
» 巴斯夫与Fraunhofer光子微系统研究所共厌 合作研发半导体产业创新方案10年
» 工研院IEK眺??2025年半导体产业 受AI终端驱动产值达6兆元
» ASM携手清大设计半导体制程模拟实验 亮相国科会「科普环岛列车」
» SEMI提4大方针增台湾再生能源竞争力 加强半导体永续硬实力
» 国科会促产创共造算力 主权AI产业专区落地沙仑
  相关文章
» 使用PyANSYS探索及优化设计
» 隔离式封装的优势
» MCU新势力崛起 驱动AIoT未来关键
» 功率半导体元件的主流争霸战
» NanoEdge AI 解决方案协助嵌入式开发应用

刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8BT5J9E7QSTACUK4
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw