账号:
密码:
最新动态
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
快捷推出200V/250V Powertrench MOSFET
 

【CTIMES/SmartAuto 黃明珠报导】   2007年03月12日 星期一

浏览人次:【7417】

快捷半导体(Fairchild Semiconductor)推出全新的FDB2614(200V)和FDB2710(250V)N沟道MOSFET,这两款产品经过特别设计,可为电浆显示器(plasma display panel,PDP)应用提供业界领先的系统效率和优化的占位空间。与市场上同类型器件比较,这些采用快捷半导体专利PowerTrench制程技术的MOSFET,可提供最低的导通阻抗RDS(on) (FDB2614的典型值为22.9毫奥姆;FDB2710的典型值为36.3毫奥姆)。超低的RDS(on)加上极低的栅极电荷(Qg),使得该器件具有同级产品中最佳的特性值(Figure of Merit,FOM),因而可以在PDP系统中获得更低的传导损耗和出色的开关性能。

Fairchild 200V/250V POWERTRENCH MOSFET BigPic:320x240
Fairchild 200V/250V POWERTRENCH MOSFET BigPic:320x240

该器件极低的导通阻抗配合超小型的芯片尺寸,再加上200V 或250V的击穿电压,让它可以封装在占位面积更小的D2PAK封装中。PowerTrench MOSFET的另一项优势是能够承受高速电压(dv/dt)和电流(di/dt)开关的瞬态响应,有助于提高系统的可靠性。

快捷半导体功能性功率产品部副总裁Taehoon Kim表示,「快捷半导体的FDB2614和FDB2710 MOSFET具有领先的FOM及采用紧凑的D2PAK封装,非常适用于PDP应用中的路径开关。这些器件经过量身订做,可为纤巧的PDP电路板设计提供高电流处理能力和节省占位空间的封装。快捷半导体这项产品的推出再次彰显了其决心和能力,可以为客户解决最紧迫的应用问题。」

關鍵字: MOSFET  快捷半导体  Taehoon Kim 
相关产品
Littelfuse超级结X4-Class 200V功率MOSFET具有低通态电阻
Littelfuse推出高频应用的双5安培低压侧MOSFET栅极驱动器
ROHM推出车电Nch MOSFET 适用於车门、座椅等多种马达及LED头灯应用
英飞凌CoolSiC MOSFET 400 V重新定义 AI 伺服器电源功效
英飞凌针对汽车应用推出最低导通电阻 80 V MOSFET OptiMOS 7
  相关新闻
» 巴斯夫与Fraunhofer光子微系统研究所共厌 合作研发半导体产业创新方案10年
» 工研院IEK眺??2025年半导体产业 受AI终端驱动产值达6兆元
» ASM携手清大设计半导体制程模拟实验 亮相国科会「科普环岛列车」
» SEMI提4大方针增台湾再生能源竞争力 加强半导体永续硬实力
» 国科会促产创共造算力 主权AI产业专区落地沙仑
  相关文章
» 使用PyANSYS探索及优化设计
» 隔离式封装的优势
» MCU新势力崛起 驱动AIoT未来关键
» 功率半导体元件的主流争霸战
» NanoEdge AI 解决方案协助嵌入式开发应用

刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8BT51RN86STACUKN
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw