国际整流器公司(简称IR），推出四款采用TSSOP-8封装的双重式HEXFET功率MOSFET，其导通电阻 (RDS(on)) 低于同类型产品25%。四款新组件的编号为IRF7757、IRF7756、IRF7755及IRF7754。它们透过IR的标准MOSFET技术降低导通电阻，并有效提升行动电子装置的功率系统效率以及延长电池寿命。

双重式HEXFET功率MOSFET

相较于业界标准的SO-8封装，TSSOP-8封装的体积缩小将近35%。透过整合IR先进的硅技术，新组件的体积不仅更为轻巧，且具备与更大型的SO-8组件相同的效率。设计人员可利用轻巧的TSSOP-8组件取代SO-8组件，以节省系统空间。

IR表示，全新12V P网关MOSFET经过特别的设计，可在低至1.8V的闸电压下提供低导通电阻。1.8V是一般行动电子装置逻辑IC的运作电压，此额定值不需要设置额外的升压电路，且可简化电路设计。新组件是针对电池及负载管理应用的需要，适用于各类电池驱动式行动装置，如MP3随身听、移动电话、数字相机、笔记本电脑及其他小型电子产品。

IR台湾分公司总经理朱文义表示：「设计人员将新型的TSSOP-8双重式HEXFET MOSFET应用于行动电子设备的功率管理系统，即可开发出体积更小、电池寿命更长的产品。他们也可透过采用IR全新的TSSOP-8双重式HEXFET MOSFET，将原有采用TSSOP-8组件的电路升级，进而提升电源效率。」