德州儀器（TI）7日推出矽鍺互補雙極-CMOS製程技術，速度比現有互補雙極製程增加三倍。新矽鍺製程是業界率先整合NPN和PNP雙極電晶體的製程技術，可將運算放大器和其它高效能混合信號元件的速度提高三倍，雜訊減少一半。對於高效能系統設計工程師，例如無線基礎設施、量測裝置、醫療影像處理或其它應用，他們將能享受新製程技術帶來的更快速度、更低失真、更大動態範圍和更高整合度。

TI表示，支援高效能類比應用是TI努力的目標，BiCom-III製程和其它發展中的類比製程即是最佳證明；BiCom-III使得TI工程師有能力製造各種高效能產品。BiCom-III電晶體速度較快，雜訊和失真也較低，許多高效能應用都將因此得利，例如在電話基地台、區域網路和數據傳輸台等高速無線系統中，這些特色可在更小空間內，提供更多擁有更大頻寬和更高精準度的通道。更寬廣的動態範圍則能免除中頻電路，使客戶簡化設計，降低系統功率消耗和成本，採用BiCom-III產品的半導體測試設備將提供高速度，足以支援發展中的新世代高效能元件，醫療影像應用也將受惠於更大動態範圍帶來的好處，包括纜線數據機和硬碟驅動前置放大器等。

BiCom-III同時結合矽絕緣層晶片、深溝隔離層、互補矽鍺雙極和最先進5V CMOS電晶體、電阻和電容，為晶片設計人員提供高效能、高精準度、而且能針對各種新設計進行個別單元最佳化的零件。