德州仪器（TI）7日推出硅锗互补双极-CMOS制程技术，速度比现有互补双极制程增加三倍。新硅锗制程是业界率先整合NPN和PNP双极晶体管的制程技术，可将运算放大器和其它高效能混合信号组件的速度提高三倍，噪声减少一半。对于高效能系统设计工程师，例如无线基础设施、量测装置、医疗图像处理或其它应用，他们将能享受新制程技术带来的更快速度、更低失真、更大动态范围和更高整合度。

TI表示，支持高效能模拟应用是TI努力的目标，BiCom-III制程和其它发展中的模拟制程即是最佳证明；BiCom-III使得TI工程师有能力制造各种高效能产品。BiCom-III晶体管速度较快，噪声和失真也较低，许多高效能应用都将因此得利，例如在电话基地台、局域网络和数据传输台等高速无线系统中，这些特色可在更小空间内，提供更多拥有更大带宽和更高精准度的信道。更宽广的动态范围则能免除中频电路，使客户简化设计，降低系统功率消耗和成本，采用BiCom-III产品的半导体测试设备将提供高速度，足以支持发展中的新世代高效能组件，医疗影像应用也将受惠于更大动态范围带来的好处，包括电缆调制解调器和硬盘驱动前置放大器等。

BiCom-III同时结合硅绝缘层芯片、深沟隔离层、互补硅锗双极和最先进5V CMOS晶体管、电阻和电容，为芯片设计人员提供高效能、高精准度、而且能针对各种新设计进行个别单元优化的零件。