Diodes公司为提供空间要求严格的产品设计，扩充了旗下超小型分立组件产品系列。新推出的3款小讯号MOSFET包括20V和30V额定值的N信道晶体管，以及30V额定值的P信道组件，产品全都采用DFN0606微型封装。每个组件的电路板占位面积仅0.6mm x 0.6mm， 比一般采用DFN1006封装的MOSFET小40%，适用于下一代可穿戴式科技产品、平板计算机及智能型手机。

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DMN2990UFZ (20V nMOS信道)、DMN31D5UFZ（30V nMOS信道）和 DMP32D9UFZ（30V pMOS信道）能够提供与大多数大型封装组件相同甚至更佳的电气性能。新产品旨在尽量降低导通电阻，并同时维持卓越的开关效能。此外，组件的典型临界电压低于1V，这种低开启电压适合单电池操作模式。

全新微型MOSFET适合进行高效率功率管理，还可作为通用接口及简单的模拟开关。这些DFN0606封装组件的功耗达到300mW，得以提升电路功率密度。（编辑部陈复霞整理）