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緯湃採用英飛凌CoolGaN電晶體打造高功率密度DC-DC轉換器 (2024.09.03)
在電動汽車和混合動力汽車中，少不了用於連接高電壓電池和低電壓輔助電路的DC-DC轉換器，而它對於開發更多具有低壓功能的經濟節能車型也很重要。由TechInsights的資料顯示，2023年全球汽車DC-DC轉換器的市場規模為40億美元，預計到2030年將增長至110億美元，預測期內的複合年增長率為15% |
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跨過半導體極限高牆 奈米片推動摩爾定律發展 (2024.08.21)
奈米片技術在推動摩爾定律的進一步發展中扮演著關鍵角色。
儘管面臨圖案化與蝕刻、熱處理、材料選擇和短通道效應等挑戰，
然而，透過先進的技術和創新，這些挑戰正在逐步被克服 |
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Microchip推出全新電動車充電器參考設計 滿足住宅和商業充電需求 (2024.08.08)
Microchip Technology今日發佈三款靈活、可擴展的電動汽車充電器參考設計，包括單相交流家用充電器、支援開放充電點協議（OCPP）和系統單晶片（SoC）的三相交流商用充電器以及支援OCPP 和顯示幕的三相交流商用充電器 |
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英飛凌新一代CoolGaN電晶體系列採用8 吋晶圓製程 (2024.07.11)
根據Yole Group預測，氮化鎵（GaN）市場在未來五年內的年複合成長率將以46%成長。英飛凌科技推出兩款新一代高電壓（HV）與中電壓（MV）CoolGaN產品，讓客戶可以在更廣泛的應用領域中，採用 40 V 至 700 V 電壓等級的GaN裝置，推動數位化與低碳化進程 |
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記憶體應用發展的關鍵指標 (2024.07.01)
記憶體發展軌跡是隨著越來越龐大的運算與感測功能而亦步亦趨，其應用發展的關鍵指標就會以容量、速度為重點來觀察。當容量與速度越來越大、越來越快，可靠度也是未來發展的關鍵指標 |
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FlexEnable柔性顯示技術創新產品目前已出貨 (2024.06.18)
開發和生產用於有源光學和顯示器的柔性有機電子產品供應商FlexEnable宣布，全球首款採用有機電晶體技術的量產消費電子產品已開始出貨。這款名為Ledger Stax的裝置是由法國市場領導者Ledger 開發的安全加密錢包 |
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安森美第7代IGBT模組協助再生能源簡化設計並降低成本 (2024.06.12)
安森美(onsemi) 最新發佈第 7 代 1200V QDual3 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 功率模組，與其他同類產品相比，該模組的功率密度更高，且提供高10%的輸出功率。這800 安培 (A) QDual3 模組基於新的場截止第 7 代 (FS7) IGBT 技術，帶來出色的效能表現，有助於降低系統成本並簡化設計 |
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不斷進化的電力電子設計：先進模擬工具 (2024.03.22)
電力電子設計領域正在快速演進，引領著高速、高效元件的新時代；而突破性的模擬工具，重新定義了工程師對電力系統進行概念化、設計及驗證的方式。在虛擬原型設計中運用模擬工具，帶來了設計流程的重大變革 |
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意法半導體1350V新系列IGBT電晶體符合高功率應用 (2023.11.21)
為了在所有運作條件下確保電晶體產生更大的設計餘量、耐受性能和高可靠性，意法半導體（STMicroelectronics）推出新系列IGBT電晶體將擊穿電壓提升至1350V，最高作業溫度高達175°C，具有更高的額定值 |
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Magnachip電動汽車PTC加熱器用1200V和650V IGBT開始量產 (2023.09.12)
Magnachip半導體推出專為正溫度系數設計的1200V和650V絕緣柵雙極晶體管（IGBT）（PTC）電動汽車 （EV）加熱器。
新推出的AMBQ40T120RFRTH（1200V）和AMBQ40T65PHRTH（650V）基於Magnachip尖端的場截止溝槽技術，可提供10μs的最短短路耐受時間 |
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GE科學家展示超高溫SiC MOSFET效能 承受超過800 ℃ (2023.06.02)
來自通用電氣研究（GE Research）的科學家們創造了一項新記錄，展示可以承受超過溫度 800 ℃的金屬-氧化物-半導體場效應晶體管（SiC MOSFET）。這相較於之前已知的該技術演示高出 200℃，對於極端操作環境中未來應用深具潛力 |
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ICAA：以交流平台鏈結產業上下游夥伴 共謀智慧新未來 (2023.03.31)
近來ChatGPT引爆科技應用的無限想像，生成式人工智慧(Generative AI)所主導的新時代翩然到來。迎合新一階段的智慧化浪潮，智慧產業電腦物聯網協會(ICAA)與大聯大控股世平集團透過「智慧物聯 連接未來」交流會 |
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Magnachip新型超短通道 MXT MOSFET可用於智慧手機電池保護電路模組 (2023.03.03)
為了滿足移動設備製造商多樣化和不斷變化，必須解決電源管理方面的需求，Magnachip半導體發布兩款第七代 MXT 金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET)，內置超短通道技術可用於智慧型手機中的電池保護電路模組 |
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東芝推出汽車 40V N 溝道功率 MOSFET採用新型高散熱封裝 (2023.01.31)
近年來，電動汽車的進展推動對於適應汽車設備功耗增加的組件的需求。東芝電子推出汽車40V N溝道功率 MOSFET—XPQR3004PB和 XPQ1R004PB，它們使用新的 L-TOGL（大型晶體管外形鷗翼引線）封裝，並且具有高漏極電流額定值和低導通電阻，今日開始供貨 |
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TI：以V2G的願景展現電動車實力 (2022.09.29)
老化的電網正在面臨全球前所未有的充電需求，而且這種壓力可能只會隨著汽車電氣化而加劇。不過，如果電動車可以將電力送返電網來減輕負擔，又會是什麼樣的情境？
這個概念稱為Vehicle to Grid (V2G)，設想電動車能夠提供有助於加強電網的電池電力，尤其是在需求尖峰期間 |
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大聯大友尚推出基於onsemi和GaN System產品之PD快充電源方案 (2022.09.20)
大聯大控股宣佈，其旗下友尚推出基於安森美（onsemi）NCP1623和NCP1343產品以及氮化鎵系統公司（GaN System）GS-065-011-2-L功率晶體管的PD快充電源方案。
以手機、電腦為代表的移動智能設備已經成為人們日常生活的重要工具 |
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大聯大詮鼎推出高效超薄型200W LED驅動電源方案 (2022.09.15)
大聯大控股宣佈，其旗下詮鼎推出基於英諾賽科（Innoscience）INN650D01場效應晶體管的高效超薄型200W LED驅動電源方案。
隨著人們對燈具品質的要求越來越高，傳統的LED驅動器已經無法滿足小而薄的燈具設計 |
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安森美美國碳化矽工廠落成 提供客戶必要供應保證 (2022.08.12)
安森美（onsemi），美國時間8月11日舉行了剪綵儀式，慶祝其位於新罕布什爾州哈德遜（Hudson, New Hampshire）的碳化矽（SiC）工廠的落成。
該廠區將使安森美到2022年底的SiC晶圓產能同比增加五倍，在哈德遜的員工人數也將成長近四倍 |
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功率半導體元件的主流爭霸戰 (2022.07.26)
多年來，功率半導體以矽為基礎，但碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三類半導體材料出現，讓功率半導體元件的應用更為多元。 |
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三菱電機將推出商用雙向無線電用的新型RF高功率MOSFET模組 (2022.07.14)
三菱電機株式會社宣布將於8月1日推出一款50W矽射頻（RF）高功率金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）模組，用於商用雙向無線電的高頻功率放大器。該模組提供先進的763MHz至870MHz頻段內功率輸出50W，整體效率可達到40%，將有助於擴大無線電通信範圍並降低功耗 |
