账号:
密码:
最新动态
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
IR为家电马达驱动器扩充IGBT阵营
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2012年10月24日 星期三

浏览人次:【2476】

国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出IRGR4045DPbF及IRGS4045DPbF,藉以扩充绝缘闸双极晶体管 (IGBT) 阵营。全新600V沟槽型超高速IGBT能够为洗衣机和冰箱等家电与轻工业马达驱动应用提升效能及效率。

推出600V 沟槽型超高速IRGR4045DPBF及IRGS4045DPBF
推出600V 沟槽型超高速IRGR4045DPBF及IRGS4045DPBF

IRGR4045DPbF及IRGS4045DPbF利用IR有助于大幅减低开关与导通损耗的薄晶圆场截止沟槽型技术,在更高频率下提升功率密度与效率。全新IGBT与二极管共同采用DPAK 或D2Pak封装,并且配备6A标称电流及? 5μs的最低短路额定值。

全新组件亦具备能够减低功率耗散与提升功率密度的低Vce(on),以及易于并联的正Vce(on) 温度系数。IRGR4045DPbF及IRGS4045DPbF经过优化后适用于广阔的开关频率范围,最高达20kHz。

IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:「IRGR4045DPbF及IRGS4045DPbF两款组件扩充了IR强大的IGBT阵营,并且为高效能家电与轻工业应用带来高效可靠的解决方案。」

IRGR4045DPbF及IRGS4045DPbF可以芯片或封装组件形式供应,其他主要功能包括经过优化的方形反向偏置安全工作区 (RBSOA)、最高达175°C的结温,以及能够促进可靠性的低电磁干扰 (EMI) 。

關鍵字: IR 
相关产品
IR新款FastIRFET双功率MOSFET采用4×5 PQFN功率模块封装
IR推出电池保护应用MOSFET系列
IR推出表面黏着型75V MOSFET搭载极低导通电阻
IR为高功率工业应用推出新IGBT模块系列
IR推出75V MOSFET具有极低导通电阻
  相关新闻
» 巴斯夫与Fraunhofer光子微系统研究所共厌 合作研发半导体产业创新方案10年
» 工研院IEK眺??2025年半导体产业 受AI终端驱动产值达6兆元
» ASM携手清大设计半导体制程模拟实验 亮相国科会「科普环岛列车」
» SEMI提4大方针增台湾再生能源竞争力 加强半导体永续硬实力
» 国科会促产创共造算力 主权AI产业专区落地沙仑
  相关文章
» 使用PyANSYS探索及优化设计
» 隔离式封装的优势
» MCU新势力崛起 驱动AIoT未来关键
» 功率半导体元件的主流争霸战
» NanoEdge AI 解决方案协助嵌入式开发应用

刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8BP7HYH00STACUKE
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw