国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)于近日宣布,针对PQFN封装系列推出新款的PQFN 2mm x 2mm和PQFN3.3mm x 3.3mm封装。新型封装把两个采用IR最新硅技术的HEXFET MOSFET整合,为低功率应用,包括智能型手机、平板计算机、摄录机、数字相机、DC马达和无线电感充电器,以及笔记本电脑、服务器和网通设备,提供高密度,低成本的解决方案。
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IR针对PQFN封装系列推出新型封装采用最新硅技术 |
新推出的PQFN2x2及PQFN3.3x3.3双组件在每一个封装都配备一对功率MOSFET,提供共汲极或半桥拓扑的灵活性。这些组件利用IR最新的低电压硅技术(N和P)来达致超低损耗。例如IRLHS6276在只有4 mm2的范围内,配备两个典型通态电阻(RDS(on))均为33mΩ的MOSFET。
此外,这个双PQFN系列包括专为在高侧负荷开关使用而优化的P-信道组件,提供简易驱动解决方案。组件封装的厚度少于1 mm,使其与现有的表面黏着技术兼容,并且拥有行业标准的占位空间,还符合电子产品有害物质限制指令(RoHS)。