功率半导体和管理方案厂商–国际整流器公司(International Rectifier，简称IR)推出IRF6641TRPbF功率MOSFET，以IR的基准DirectFET封装技术配合IR最新的200V HEXFET MOSFET硅技术，达致95%的效率。

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IR新推出的200V DirectFET组件，乃为于36V至75V通用输入范围操作的隔离式DC-DC转换器而设计。超低的51 mOhm典型10V通态电阻RDS(on)及减少了的闸电荷，使新组件适合作为推动高电流负载的高频率、高效率DC-DC转换器；新一代中转母线转换器；DC马达驱动器，以至为风力涡输转换功率的48V反相器的高效同步整流MOSFET。在48V通用输入电压范围内运作的计算机及电讯服务器，其高电流AC-DC转换器亦适合采用新组件进行同步整流。

IR台湾分公司总经理朱文义表示：「我们最新的200V DirectFET MOSFET之电流额定值达到25安培，但面积仅与SO-8封装0.7毫米产品相若，同时也能把闸电荷和封装电感减至最低，从而减少传导和交换损耗。单是一颗DirectFET MOSET，便能较两或三颗SO-8组件节省超过50%的空间。」

如把IRF6641TRPbF的原件电路效率，与其他在第同步整流插座之加强SO-8组件相比，当每个插座所使用加强SO-8组件的数目相同，新DirectFET组件能提供0.4%的效率改进。此外，当每个插座有双倍的加强SO-8组件，IR的新组件亦能提供同样的7安培、全负载效率。在这项分析研究中，MOSFET的温度，以每个插座采用两颗IRF6641TRPbF组件的电路为最低。