国际整流器(IR)推出新的控制和同步开关芯片组，专攻用来驱动新一代Intel和AMD处理器的高频DC-DC转换器，适用于高阶先进服务器和桌面计算机。该芯片组也可运用于电讯和数据通讯系统的负载点DC-DC转换。这款芯片组若用于开关频率达每相750kHz的四相1U (1.75吋高) VRM系统，可在90A输出电流下拥有84.5% 的效率；若用于开关频率达每相400kHz的八相VRD10.2设计，则可在150A输出电流下拥有87% 的效率。

IR表示，第一款组件是单片式IRF6691 DirectFETKY，它把一个Schottky二极管和一个同步MOSFET整合于单一封装内。若使用相同的控制FET，该组件在全负载状态及每相1MHz频率下，效率较市场上其他性能最佳的20V同步MOSFET改善达1.1%。

IRF6691在10VGS下的典型导通电阻 (RDS(on)) 为1.2 mOhm (在4.5VGS下为1.8 mOhm)，典型Qrr为26nC。它不仅提供最佳热性能，而且逆向恢复损耗更低，也可减少整体零件数目。

第二款组件是IRF6617 DirectFET HEXFET控制MOSFET，它是特别设计给控制FET开关，整体栅电荷 (Qg 为11nC) 极低。与旧款30V组件比较，它能在4.5VGS下把导通电阻与栅电荷乘积减少33%至87mOhm-nC。

IR台湾分公司总经理朱文义表示：「我们不断在组件导通电阻与开关损耗以外的其他地方，改善足以影响功率MOSFET性能的关键参数。IR领导业界的DirectFET封装技术与最新单片式芯片技术，为现今最先进的信息科技应用奠定了DC-DC转换效率标准。」

两款组件皆采用IR已获专利的DirectFET封装技术，并且具有一系列标准塑料离散式封装前所未有的设计优点。DirectFET功率MOSFET系列藉开展创新的双面冷却设计，有效把驱动先进处理器的高频DC-DC降压转换器的电流处理效能提升一倍。