账号:
密码:
最新动态
 
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
 

【CTIMES/SmartAuto 劉筱萍报导】   2005年12月05日 星期一

浏览人次:【1606】

功率半导体及管理方案领导厂商–国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出一款三相PWM控制IC,当中配备为DC-DC转换器而设的集成驱动器。配合IR的DirectFET MOSFET,这款IR3094MPbF组件能够节省多达40%的电路体积。由于IR3094的占位面积更小,因此最适合空间有限的应用,如机架式服务器中的DDR内存,或高密度数据系统中的POL模块。

/news/2005/12/05/1853296423.jpg

典型的80A三相同步降压解决方案一般需要多达13个组件,包括1个控制和3个驱动器,而每相位又需要3个MOSFET。一个以IR3094加上IRF6637和IRF6678 DirectFET MOSFET组成的芯片组,能够把硅组件数量减到7个,输出电流却可保持不变。设计人员更可将3对这样的DirectFET MOSFET直接设置于IR3094的旁边,成为一套既可减少PCB线路的寄生效应、又能发挥最高交换效能的解决方案。

IR台湾分公司总经理朱文义表示:「 80A POL调节器若采用IR3094,占用的主板空间少于两平方吋。这对于不断努力提高下一代服务器的密度和功能的OEM厂商来说相当重要。」

IR3094是针对需要0.85V至5.1V输出的应用而设计。这款新型IC采用紧密的7毫米 x 7毫米MLPQ封装,具有3A闸驱动性能、准确度为1%的参考电压及适应型电压定位,可编程交换频率高达540kHz。IR3094的系统保护功能包括可编程软起动、Hiccup过电流保护、过压保护及电源良好(Power Good)指示器。

IR表示,IRF6678是一款理想的同步MOSFET,它的典型通态电阻相当低,在10VGS下只得1.7mOhm,在4.5VGS下只得2.3mOhm。IRF6637最适合用作控制MOSFET,Miller电荷甚低,只有4nC;在10VGS下的典型通态电阻为5.7mOhm,在4.5VGS下为8.2mOhm。两款MOSFET皆采用中罐型DirectFET封装,所占的电路板面积与SO-8相同,外形只得0.7毫米长,并且透过双面冷却功能改善热性能。

關鍵字: IR  朱文义  一般逻辑组件 
相关产品
IR新款FastIRFET双功率MOSFET采用4×5 PQFN功率模块封装
IR推出电池保护应用MOSFET系列
IR推出表面黏着型75V MOSFET搭载极低导通电阻
IR为高功率工业应用推出新IGBT模块系列
IR推出75V MOSFET具有极低导通电阻
  相关新闻
» 巴斯夫与Fraunhofer光子微系统研究所共厌 合作研发半导体产业创新方案10年
» 工研院IEK眺??2025年半导体产业 受AI终端驱动产值达6兆元
» ASM携手清大设计半导体制程模拟实验 亮相国科会「科普环岛列车」
» SEMI提4大方针增台湾再生能源竞争力 加强半导体永续硬实力
» 国科会促产创共造算力 主权AI产业专区落地沙仑
  相关文章
» 使用PyANSYS探索及优化设计
» 隔离式封装的优势
» MCU新势力崛起 驱动AIoT未来关键
» 功率半导体元件的主流争霸战
» NanoEdge AI 解决方案协助嵌入式开发应用

刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8BE7K0GJ8STACUK1
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw