快捷半导体公司(Fairchild Semiconductor)日前推出七种新型高电压平面MOSFET，具有更低的导通电阻、更低的闸电荷值及更高的崩溃和换向模式能量密度。这些MOSFET是在快捷半导体的韩国工厂设计、开发和制造，专用于满足先进交换式电源供应器(SMPS)和DC/DC转换器的性能要求。这些组件的先进条状结构技术和较小封装能为功率系统带来许多益处，如减少功率损耗，提高系统效率和稳定系统质量。

快捷半导体指出，以TO-220封装500V FQP18N50V2为例，其FOM较主要竞争对手的类似封装产品低21%以上。此外，快捷的200V FQD18N20V2采用D-PAK封装，其FOM )比主要竞争对手同级封装的组件低39%以上。较低的FOM值可使交换式应用发挥最佳性能。

快捷半导体表示，现提供的七种新型产品包括：三种500V组件，适用于交换式电源供应器(SMPS)和功率因子校正(PFC)设备，及四种200V组件，适用于DC/DC转换器。这些200V组件也适用于交换式和脉冲宽度控制的设备。