德國半導體元件商英飛凌（Infineon）今日在台北宣布推出新一代搭載CoolSiC技術的MOSFET系列產品，透過其獨特的碳化矽 (SiC) 溝槽式 (Trench) 技術，提供高性能、高可靠度、高功率密度，且具成本效益的電源解決方案。該系列將以太陽能、電動車充電系統與工業級電源供應為主要的應用領域。

英飛凌（Infineon）今日在台北宣布推出新一代搭載CoolSiC技術的MOSFET系列產品

碳化矽(SiC)製程是近年在電源功率元件領域的熱門技術，因其能具備極佳的耐高壓與耐高溫的性能，因此十份適合用於需要高電壓的工業應用上。然而，SiC的生產成本高，良率低，且耐用性經常受到挑戰，僅有少數的供應商有能力生產。

英飛凌工業電源控制事業處大中華區總監馬國偉博士表示，英飛凌自1992年便開始進行SiC材料研究，而CoolSiC MOSFET就是累積了大量經驗和技術的成果。與傳統矽（Si）材料 IGBT和MOSFET的開關元件相比，CoolSiC MOSFET提供了在1200V的開關中具有較低的閘極電荷與電容、反向並聯二極體無反向恢復損耗、較低切換損耗等。

此外，馬國偉指出，英飛凌1200V SiC MOSFET透過其獨特的溝槽式構造設計，實現更佳的閘極氧化層可靠度，也呈現最佳的開關與傳導損耗、最高的轉導增益、最佳的臨界導通電壓和輸出短路的堅固性。非常適用於LLC和ZVS等電源切換架構技術，且能達到Si開關元件無法達到的開關頻率下所提供的最高效率，進而減小整體系統的體積，並提高功率密度。

馬國偉表示，為了研發和生產SiC產品，英飛凌投入了3500萬歐元的資金來建設生產設備和流程，目前已升級至6吋的生產製程，同時也與Cree簽屬了碳化矽晶圓的供應合約，來強化產品的品質與產能的穩定性。

馬國偉博士強調，英飛凌的SiC MOSFET產品能同時兼具高可靠性與高性能表現，且其可靠度已經達到能媲美Si IGBT的水準。而英飛凌也將持續改善其材料與製程的成本與良率，以帶給客戶更具效益的產品。

目前，該系列產品已經被用在電動車的充電系統、太陽能逆變器和能源儲存應用中。