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力积电携手法国CEA机构 打造整合RISC-V与矽光子3D堆叠AI晶片
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2026年04月05日 星期日

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力积电(PSMC)宣布,将与法国原子能署(CEA)旗下两大研究机构CEA-Leti与CEA-List展开战略合作。双方将结合RISC-V架构与Micro LED矽光子技术,导入力积电现有的3D堆叠与中介层(Interposer)平台,为次世代AI系统提供具备高频宽通讯与高效能运算的解决方案。

CEA-List数位IC设计部??负责人Olivier Thomas指出,RISC-V结合了开放性、灵活性与成本效益,正改变处理器设计。其可客制化的特性允许工业夥伴开发量身定制的方案,此次合作将为客户提供符合效能与功耗目标的客制化运算平台。

在技术细节方面,Micro LED被视为推动光通讯吞吐量的核心。CEA-Leti执行长Sebastien Dauve强调,藉由低功耗氮化??(GaN)LED方案,Micro LED技术将能大幅提升数据传输效率。

力积电技术长张守仁博士表示,这次合作大幅丰富了力积电的3D堆叠与中介层技术蓝图。藉由结合CEA-List的高效能RISC-V运算IP、CEA-Leti的高频宽矽光子小晶片(Chiplet)通讯技术,以及力积电自身的制程实力,力积电将能为次世代AI应用客户提供更先进的晶圆代工服务。

關鍵字: 硅光子 
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