日本矢野經濟研究所發表了SiC（碳化矽）及GaN等電子元件單晶片市調報告。該單位指出，wide gap半導體用單晶片以及非線形光學晶體，多未達到實用和量產水準。往後市場可望增加的是SiC以及GaN等。

2006年SiC單晶片市場規模為40億日圓（3635萬美元）。SiC目前主要用於研究用途。但是隨著元件實用化，需求正不斷擴大。預計往後使用矽的高耐壓離散元件將被SiC取代。而矢野經濟研究所也預計，在2～3年內除了已投產的二極體、MOSFET等的開關元件將量產外，2013年將形成穩定的市場。

SiC底板方面，除了採用在SiC上形成有外延SiC薄膜的電子元件外，使用GaN的HEMT元件，以及發光元件的底板也存在使用需求。尤其HEMT元件，將隨著高速通訊及手機基地台的需求而增加。預測SiC單晶片的市場規模到2010年將達到105億日圓（約1億美元），2015年將達到300億日圓（約2.7億美元）。

GaN單晶目前主要用於作為新一代DVD鐳射頭使用的藍紫色半導體鐳射器的底板，以及投影機和背投電視等雷射顯示光源所用的藍色半導體雷射器底板。