帳號:
密碼:
最新動態
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 新聞 /
Transphorm與偉詮電子合作開發氮化鎵系統級封裝元件
 

【CTIMES/SmartAuto 王岫晨 報導】   2023年12月28日 星期四

瀏覽人次:【1997】

Transphorm與Weltrend Semiconductor(偉詮電子)合作推出100瓦USB-C PD電源適配器參考設計。該參考設計電路採用兩家公司合作開發的系統級封裝(SiP)SuperGaN電源控制晶片WT7162RHUG24A,在准諧振反激式(QRF)拓撲中可實現92.2%的效率。

/news/2023/12/28/1407505790S.jpg

該參考設計是偉詮電子推出的第二款使用WT7162RHUG24A的QRF拓撲USB-C PD適配器控制板。在今年早些時候,偉詮電子發佈了65瓦的適配器控制電路。兩款適配器控制板採用同一個SuperGaN SiP,與競爭方案相比,客戶能夠以更優的成本實現100瓦產品設計,從而實現規模效益。這也表明,65瓦功率級SuperGaN SiP同樣滿足100瓦功率級設計的性能和散熱要求。

關鍵字: SiC  GaN  寬能隙半導體  化合物半導體  Transphorm  偉詮電子 
相關新聞
筑波舉辦化合物半導體與矽光子技術研討會 引領智慧製造未來
德州儀器擴大氮化鎵半導體內部製造作業 將自有產能提升至四倍
格棋化合物半導體中壢新廠落成 攜手中科院強化高頻通訊技術
ASM雙腔體碳化矽磊晶平台 滿足先進碳化矽功率元件領域需求
ROHM推出4款工業電源適用SOP封裝通用AC-DC控制器IC
comments powered by Disqus
相關討論
  相關文章
» SiC MOSFET:意法半導體克服產業挑戰的顛覆性技術
» STM32MP25系列MPU加速邊緣AI應用發展 開啟嵌入式智慧新時代
» STM32 MCU產品線再添新成員 STM32H7R/S與STM32U0各擅勝場
» STM32WBA系列推動物聯網發展 多協定無線連接成效率關鍵
» 開啟邊緣智能新時代 ST引領AI開發潮流


刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8BT3SPZHMSTACUKU
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw