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SST和GLOBALFOUNDRIES宣布汽車級55nm嵌入式快閃記憶體技術獲認證
 

【CTIMES/SmartAuto 編輯部 報導】   2015年05月15日 星期五

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‧SST的 SuperFlash技術與GLOBALFOUNDRIES 55nm LPx結合,實現低功耗、低成本、高可靠度、資料保存性能和高耐用度兼備的客戶解決方案

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‧因應智慧卡、NFC、IoT、MCU和汽車1級標準應用方面的客戶需求不斷增長,Microchip(微芯科技)通過其子公司Silicon Storage Technology(SST)與半導體製造技術供應商GLOBALFOUNDRIES共同宣佈,基於GLOBALFOUNDRIES 55nm低功耗強化型(LPx)/RF平臺的SST 55nm嵌入式SuperFlash非揮發性記憶體(NVM)產品已通過全面認證並開始投放市場。GLOBALFOUNDRIES結合了分離閘極單元設計的55nm SuperFlash技術的製程認證測試採用了JEDEC標準。

同時,這一製程技術也符合AEC-Q100 1級認證標準,環境溫度範圍為攝氏-40度至125度,耐用度達到100K燒寫/抹除次數,在攝氏150度的條件下可實現超過20年的資料保存年限。

根據全球知名資訊諮詢公司IHS預測,2015年汽車半導體市場規模將達到310億美元,相較於2014年增幅可高達7.5%。而基於嵌入式快閃記憶體的半導體產品則在這一市場佔有相當大的比重。

Microchip子公司SST技術授權部副總裁Mark Reiten表示:「嵌入式SuperFlash存儲事實上已成為各代工廠生產微控制器、智慧卡及各種系統級晶片的標準。與GLOBALFOUNDRIES的合作為我們搭建先進的55nm嵌入式SuperFlash平臺帶來了巨大的技術優勢,我們與各行業多個客戶的業務洽談也已經在進行當中。」

GLOBALFOUNDRIES產品管理高級副總裁Gregg Bartlett表示:「GLOBALFOUNDRIES發現市場需要一款低成本的嵌入式快閃記憶體平臺產品來實現安全的ID、混合信號、NFC/RF及新一代IoT應用。得益於公司與SST的深度合作,這項基於GLOBALFOUNDRIES高良率的55nm低功耗製程技術平臺而實現的55nm SuperFlash技術將有助為各重要行業的客戶提供高性能的解決方案。」

配備eNVM技術的GLOBALFOUNDRIES 55nm LPx/RF平臺現已上市。該平臺技術備有一個自訂庫,包含針對特定MCU產品應用有現成且經優化的eNVM IP模組,是一款可大幅縮短產品開發週期的解決方案。(編輯部陳復霞整理)

關鍵字: 嵌入式  快閃記憶體  55nm  RF  汽車半導體  微控制器  智慧卡  系統級晶片  eNVM  Microchip  微芯科技  SST  GLOBALFOUNDRIES  快閃記憶體  系統單晶片 
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