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Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极体 (2024.07.01)
威世科技（Vishay Semiconductors）推出16款新型第三代1200 V碳化??（SiC）肖特基二极体。Vishay器件采用混合PIN 肖特基（MPS）结构设计，具有高浪涌电流保护能力，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流，有助於提升开关电源设计能效和可靠性 |
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Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极体 (2024.07.01)
威世科技（Vishay Semiconductors）推出16款新型第三代1200 V碳化??（SiC）肖特基二极体。Vishay器件采用混合PIN 肖特基（MPS）结构设计，具有高浪涌电流保护能力，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流，有助於提升开关电源设计能效和可靠性 |
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Nexperia汽车级肖特基二极体采用R2P DPAK 封装 (2024.06.11)
Nexperia宣布650V、10A 碳化矽（SiC）肖特基二极管现已通过汽车认证PSC1065H-Q，并采用真正的双引脚（R2P） DPAK （TO -252-2）封装，适合於电动车和其他汽车的各种应用。此外，为了扩展 SiC 二极体产品组合，Nexperia提供 TO-220-2、TO-247-2 和 D2PAK 额定电流为 6A、16A 和 20A 的工业级装置-2 包装有利於更大的设计灵活性 |
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Nexperia汽车级肖特基二极体采用R2P DPAK 封装 (2024.06.11)
Nexperia宣布650V、10A 碳化矽（SiC）肖特基二极管现已通过汽车认证PSC1065H-Q，并采用真正的双引脚（R2P） DPAK （TO -252-2）封装，适合於电动车和其他汽车的各种应用。此外，为了扩展 SiC 二极体产品组合，Nexperia提供 TO-220-2、TO-247-2 和 D2PAK 额定电流为 6A、16A 和 20A 的工业级装置-2 包装有利於更大的设计灵活性 |
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保障下一代碳化矽元件的供需平衡 (2024.02.23)
本文叙述思考下一代SiC元件将如何发展，从而实现更高的效能和更小的尺寸，并讨论建立稳健的供应链对转用SiC技术的公司的重要性。 |
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意法半导热切换二极体控制器问世 适用於ASIL-D汽车安全关键应用 (2023.09.19)
意法半导体（STMicroelectronics，ST）推出的STPM801是率先业界所推出之车规整合热切换的理想二极体控制器，适合汽车功能性安全应用。
这款理想二极体控制器驱动一个外部MOSFET开关二极体，取代过去在输入反向保护和输出电压维持电路中常用的肖特基二极体 |
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意法半导体热切换二极体控制器问世 适用於ASIL-D汽车安全关键应用 (2023.09.19)
意法半导体（STMicroelectronics，ST）推出的STPM801是率先业界所推出之车规整合热切换的理想二极体控制器，适合汽车功能性安全应用。
(圖一)意法半导体推出热切换理想二极体控制器，适用於ASIL-D汽车安全关键应用
这款理想二极体控制器驱动一个外部MOSFET开关二极体，取代过去在输入反向保护和输出电压维持电路中常用的肖特基二极体 |
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智慧节点的远端运动控制实现可靠的自动化 (2023.08.25)
本文介绍如何在自动化和工业场景中整合新的10BASE-T1L乙太网路实体层标准，将控制器和使用者介面与端点相连接，所有元件均使用标准乙太网路介面进行双向通讯。 |
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贸泽电子2023年第二季推出近30,000项新品 (2023.07.20)
贸泽电子（Mouser Electronics）为原厂授权代理商，致力於快速导入新产品与新技术，协助超过1,200个半导体及电子元件制造商从设计链到供应链加快产品的上市速度，将新产品卖到全世界 |
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贸泽电子2023年第二季推出近30,000项新品 (2023.07.20)
贸泽电子（Mouser Electronics）为原厂授权代理商，致力於快速导入新产品与新技术，协助超过1,200个半导体及电子元件制造商从设计链到供应链加快产品的上市速度，将新产品卖到全世界 |
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贸泽即日起供货安森美EliteSiC碳化矽系列解决方案 (2023.04.12)
贸泽电子（Mouser Electronics）即日起供货安森美（onsemi）EliteSiC碳化矽（SiC）系列解决方案。EliteSiC产品系列包括二极体、MOSFET、IGBT与SiC二极体功率整合模组（PIM），以及符合AEC-Q100标准的装置 |
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贸泽即日起供货安森美EliteSiC碳化矽系列解决方案 (2023.04.12)
贸泽电子（Mouser Electronics）即日起供货安森美（onsemi）EliteSiC碳化矽（SiC）系列解决方案。EliteSiC产品系列包括二极体、MOSFET、IGBT与SiC二极体功率整合模组（PIM），以及符合AEC-Q100标准的装置 |
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安森美的EliteSiC碳化矽系列方案提供更高能效 (2023.01.04)
安森美(onsemi)宣布将其碳化矽(SiC)系列命名为「EliteSiC」。在CES上，安森美展示EliteSiC 系列的3款新成员：一款1700 V EliteSiC MOSFET和两款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二极体。这些新的器件为能源基础设施和工业驱动应用提供可靠、高能效的性能 |
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安森美的EliteSiC碳化矽系列方案提供更高能效 (2023.01.04)
安森美(onsemi)宣布将其碳化矽(SiC)系列命名为「EliteSiC」。在CES上，安森美展示EliteSiC 系列的3款新成员：一款1700 V EliteSiC MOSFET和两款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二极体。这些新的器件为能源基础设施和工业驱动应用提供可靠、高能效的性能 |
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Bloom Energy选用英飞凌CoolSiC功率元件 助力电源供应 (2022.10.28)
当前的能源危机充分表明全球迫切需要寻找替代能源以建构气候友善型的能源供应能力。总部位於美国加州的Bloom Energy公司近期选用了英飞凌科技股份有限公司的CoolSiC MOSFET和CoolSiC二极体产品，用於该公司燃料电池产品Bloom’s Energy Server以及Bloom Electrolyzer电解系统中的功率转换 |
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Bloom Energy选用英飞凌CoolSiC功率元件 助力电源供应 (2022.10.28)
当前的能源危机充分表明全球迫切需要寻找替代能源以建构气候友善型的能源供应能力。总部位於美国加州的 Bloom Energy 公司近期选用了英飞凌科技股份有限公司的CoolSiC MOSFET和CoolSiC二极体产品，用於该公司燃料电池产品 Bloom’s Energy Server 以及 Bloom Electrolyzer 电解系统中的功率转换 |
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美超微携手英飞凌高效率功率级产品 可降低资料中心耗电量 (2022.10.27)
数位化开创了新纪元，未来随着视讯串流、线上会议、云端服务、加密货币等大量数位应用的推动下，全球资料量也将出现指数型增长。专家预估，在未来15年间全球资料将增长146倍 |
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美超微携手英飞凌 以高效率功率级产品降低资料中心耗电 (2022.10.27)
为了满足资料中心的低碳化，云端、AI/ML、储存、5G/边缘领域的需求，美超微电脑与英飞凌科技携手合作，选用了英飞凌的高效率功率级半导体产品。
(圖一)美超微的绿色运算平台可显着改善PUE |
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Diodes DC-DC转换器符合汽车规格 提高轻负载效率降低EMI (2022.08.23)
Diodes公司宣布其符合汽车规格的DC-DC转换器系列又添新成员。AP64060Q是一款600mA的同步降压转换器元件，输入电压范围为4.5V至40V。
(圖一)AP64060Q
它整合了600mΩ的高侧功率MOSFET和300mΩ的低侧功率MOSFET，可提供高效的降压转换（效率达90%），且占用的PCB机板空间最小 |
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Diodes DC-DC转换器符合汽车规格 提高轻负载效率降低EMI (2022.08.23)
Diodes公司宣布其符合汽车规格的DC-DC转换器系列又添新成员。AP64060Q是一款600mA的同步降压转换器元件，输入电压范围为4.5V至40V。
它整合了600mΩ的高侧功率MOSFET和300mΩ的低侧功率MOSFET，可提供高效的降压转换（效率达90%），且占用的PCB机板空间最小 |
