贸泽电子（Mouser Electronics）即日起供货安森美（onsemi）EliteSiC碳化矽（SiC）系列解决方案。EliteSiC产品系列包括二极体、MOSFET、IGBT与SiC二极体功率整合模组（PIM），以及符合AEC-Q100标准的装置。这些装置经过最隹化，可为能源基础建设及工业驱动应用提供高可靠度和高效能。

图一 : 贸泽即日起供货安森美EliteSiC碳化矽解决方案

再生能源和高功率工业应用需要高崩溃电压（BV），1700V NTH4L028N170M1 EliteSiC MOSFET就可以提供这样的特性。NTH4L028N170M1的最大闸极至源极电压（VGS）范围为-15V至+25V，适用於闸极电压达到-10V的快速切换应用，进而提高系统可靠度。

1700V EliteSiC MOSFET可在1200V、40A测试条件下实现领先市场的200nC超低闸电荷（Qg），在快速切换、高功率再生能源应用中具备很高的效率。
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