ROHM日前推出適合工業裝置及太陽能發電系統功率調節器等裝置的變流器、轉換器使用，耐壓可達1200V第二代SiC MOSFET「SCH2080KE」。由於其低損耗與高可靠性等特性，因此可適用於各種應用領域，有效協助各種裝置實現低耗電．小體積目標。

此產品成功地將SiC蕭特基二極體和SiC-MOSFET收納至1顆封裝中

此產品成功地將SiC蕭特基二極體和SiC-MOSFET收納至1顆封裝中。此外，由於降低了內部二極體的順向電壓達70%以上，成功降低損耗外，還能減少外接零件的使用量。

目前在1200V級的變流器或轉換器上，一般均使用Si-IGBT，但由於此類產品的尾電流或是外接快速回復二極體在回復時的功率轉換損耗較大。然而，由於傳統的SiC-MOSFET容易因為本體二極體而造成特性不佳(導通電阻或順向電壓上升/承受度不佳)或閘極氧化膜故障等而衍生出許多可靠性上的問題，因此遲遲無法正式運用在產品上。

本次，ROHM改善了結晶缺陷等相關製程及元件結構，完全克服了本體二極體上的可靠性問題。此外，單位面積導通(ON)電阻比傳統產品降低了約30%，因此晶片體積也更小。