Rambus推出DDR3 DRAM所設計之記憶體控制器介面解決方案。這個完全整合的硬體巨集功能晶片單元（hard macro cell）提供控制器邏輯與DDR3或DDR2 DRAM裝置之間之實體層（PHY）介面，資料傳輸率最高可達1600 MHz。

Rambus DDR3記憶體控制器介面電路單元在設計上降低耗電功率並減少矽晶片所佔面積，因此可以容納廣泛多樣之應用，包括PC主記憶體、消費性電子產品、伺服器、工作站和網路通訊等。為了滿足這些應用的需求，Rambus架構並開發了這個DDR3記憶體控制器介面巨集功能晶片單元，讓工程師能夠順利地整合至其客戶自有工具（COT）或特殊應用型積體電路（ASIC）。

為了確保矽晶片開發一次成功（first-silicon success）、高產量之可靠系統環境和快速系統內安全評估之目的，Rambus DDR3介面解決方案整合了多項Rambus創新技術：（1）FlexPhase時序調整電路，能與時脈作精準之數據校準。（2）可校正的輸出驅動能力（Calibrated output drivers）。（3）晶片上的終端電阻（On-die termination）。（4）LabStation軟體環境，有助於終端應用之DDR3介面的安全評估與確認程序。

Rambus DDR晶片單元由完整之系統設計與整合服務支援，其包括一組完整的設計模型與整合工具，包括GDSII 資料庫、時序模型、電路圖驗證電路表、邏輯閘層級模型（gate-level models）、區塊配置與繞線佈局略圖（place-and-route outline），和配置準則等。