東芝(Toshiba)推出兩款碳化矽(SiC)MOSFET雙模組：額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的MG600Q2YMS3；額定電壓為1700V、額定漏極電流為400A的MG400V2YMS3。此為東芝首款具有此類電壓等級的產品，與之前發布的MG800FXF2YMS3共同組成1200V、1700V和3300V元件的陣容。

東芝推出兩款1200V和1700V碳化矽MOSFET雙模組，幫助實現尺寸更小、更高效率的工業設備。(source:Toshiba)

新模組的安裝方式能夠與廣泛使用的矽(Si) IGBT模組相容。其低能量損耗特性滿足工業設備對更高效率和更小尺寸的需求，適合於軌道車輛的逆變器和轉換器、可再生能源發電系統、馬達控制設備及高頻DC-DC轉換器應用。